美團隊研發高效深紫外LED，創業界最低波長紀錄

　　素有殺手之稱的UV-C紫外光，波長僅200到280奈米、能量高，可以穿透病毒、細菌、真菌和塵螨的薄膜，攻擊DNA并殲滅這些有害的有機體。

　　自丹麥教授Niels Finsen發現用紫外線可治療結核病后，人類利用紫外線殺菌已經有超過百年歷史。但目前使用的深紫外線燈不只體積龐大、效率低，而且皆含水銀，對環境有害。

　　美國康乃爾大學的研究團隊，最新就研發出一種體積小且更環保的深紫外線LED光源，并創下目前業界deep-UV LED最低波長的紀錄。

　　圖為研究團隊成員，照片來源：美國康乃爾大學

　　研究人員采用原子級控制界面的氮化鎵(GaN)與氮化鋁(AlN)單層薄膜為反應作用區域，成功發射出波長介于232到270奈米的深紫外LED。這種232奈米的深紫外線，創下使用氮化鎵為發光材料，所發出的光線波長最短記錄。之前的記錄是由日本團隊創下的239奈米。

　　研究論文《MBE-grown 232-270 nm deep-UV LEDs using monolayer thin binary GaN/AlN quantum heterostructures》于1月27號發表于《應用物理快報》期刊(Applied Physics Letters)網站。

　　提高紫外線LED效率

　　目前紫外線LED最大瓶頸就是發光效率，可以由三個方面來衡量：

　　1. 注入效率：注入反應作用區域的電子通過裝置的比例。

　　2. 內量子效率(IQE)：反應作用區域中所有電子產生光子或紫外線的比例。

　　3. 出光效率：反應作用區域中產出的光子比例，這些光子可以從裝置中取出，而且是可以利用的。

　　論文作者之一SM (Moudud) Islam博士表示：「如果上述三個方面的效率都達到50%，相乘起來只有八分之一，等于發光效率已經降到12%。」

　　在深紫外線波段，這三方面的效率都很低，但研究團隊發現，利用氮化鎵取代傳統的鋁氮化鎵，可以提高內量子效率和出光效率。

　　而為了提高注入效率，研究團隊采用之前開發出的技術，在正極(電子)和負極(電洞)載體區域，采用極化感應摻雜法來實現。

　　研究發展

　　在成功提升深紫外LED的發光效率后，研究團隊的下一步是將光源整合到裝置內，朝上市的目標邁進。深紫外光的應用領域包含食物保鮮、假鈔辨別、光觸媒、水的凈化殺菌等等。