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        一種IGBT元件自損快速檢測新方法

        作者: 時間:2017-03-23 來源:網絡 收藏



        圖4:門極電流檢測以及保護原理圖

        IGBT元件正常時,當門極電壓給定信號從on切換成off后,IGBT門極電流ig數值比較小,具體數值與IGBT元件有關,我們已經掌握了三菱3.3kv/1.2ka大容量IGBT的電流數值以及延時時間。IGBT損壞時門極電流變化以及檢出如圖5所示。當檢測出IGBT有異常時,立即發出脈沖封鎖命令,防止故障擴大化。

        該方式的優點是檢測、封鎖時間極短,只有幾個微秒,能完全避免IGBT大面積損壞。缺點是在IGBT導通工作時,無法判斷其是否異常,只有在IGBT off指令發出時才可以判斷IGBT是否自損壞。



        圖5:IGBT損壞時門極電流變化以及檢出

        現場改造及效果

        原來現場變頻器中采用的是門極電壓fb監控法。由于脈沖封鎖無法快速及時,在某個IGBT損壞時造成其它IGBT大面積損壞,故障損失慘重,必須對現場進行技術改造。

        如果采用vce電壓監測法對IGBT過電流進行保護,雖然比較成熟和常用,但需要對原變頻器大動干戈,主回路要增加很多接線,脈沖放大板的改動量也較大。同時由于原變頻器沒有太多空間來布線及采取絕緣措施,無論從改造工作量和成本上都不太可行。所以vce電壓監測法不適合采用。

        采用門極電流ig檢測法就方便、簡單許多。只要在原變頻器IGBT保護功能的基礎上進行局部改造,增加IGBT門極電流檢測功能即可。這樣一旦門極導通電流超過設定值,且經過x微秒左右的延時后,門極電流仍然超過設定值,就判斷該IGBT損壞或異常,立刻發出所有IGBT脈沖封鎖指令,及時進行有效保護,防止大面積IGBT損壞。



        圖6:改造后的保護原理


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