劑量測量核心器件選擇的對比
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半導體探測器可以分為以下幾種
鋰漂移型探測器：
探測γ射線需要更大的靈敏區，這種要求必須使得鋰漂移進入P型半導體材料進行補償而獲得，由于鍺的探測效率優先于硅的，所以的一般用鍺（鋰）漂移探測器。其探測器的靈敏體積可大于200立方厘米。鑒于死層太厚，因此在探測較低能量的x射線時采用硅（鋰）漂移探測器。應該注意的是當漂移型探測器用于探測x射線和γ射線時必須保持在低溫 77K 和真空中。
將金沉積在半導體N型單晶硅片上，利用金和半導體之間的電勢差，在半導體中形成沒有自由載流子的耗盡層，形成探測器的靈敏區。高純硅厚度可以達到4~5mm。還可以用極薄的硅片做成全耗盡型探測器，最薄可以達到1~2微米，可以通過入射粒子穿過后的能量損失鑒別粒子種類。
超純鍺探測器制作工藝簡單，制造周期短，可以在室溫下儲存。便于制成超大靈敏體積，超薄壁死層，可以同時探測X射線和γ射線。除了鍺鋰Ge（Li），硅鋰Si（Li）高純鍺HPGe、金硅面壘型探測器外還有硅微條，象元、CCD。它們廣泛應用在核醫學、天體物理、高能物理、X光成像等領域。
熱釋光探測器
原理是物體在受輻射作用后積蓄的能量在加熱過程中以光的形勢釋放出來的一種物理現象。這種現象是一次性的，一次輻射后一次加熱會有一次的光釋放，熱釋光探測器就是利用這種原理制作而成。
此類產品體積小、重量輕、精度高、量程范圍廣、能量響應好?？赏瑫r測α、β、γ、X等多射線。主要應用于輻射防護、放射行生物學、放射醫學、地質學、考古學、以及環保領域。
探測器優缺點對比
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