深度剖析：雙向可控硅基礎之過零檢測與波形

本文對雙向可控硅中的過零檢測進行了詳盡的介紹，通過圖文結合的方式對過零檢測的電路及兩點電壓輸出波形分別進行了解釋。對于雙向可控硅感興趣或對過零檢測有疑問的朋友不妨花上幾分鐘來閱讀本文，相信一定會有意想不到的收獲。 在進行交流無觸點設計時，人們偏愛使用雙向可控硅。這主要是由雙向可控硅的特點決定的，雙向可控硅不僅控制電路簡單，也沒有反向耐壓額顧慮，因此才能如此適合于交流無觸點設計。交流無觸點設計在大型強電流的產品中應用較多，因此雙向可控硅需要在強電網絡中運行，這就使得其對干擾的抵抗性變得尤為重要，為了最低程度的減小干擾，常用過零觸發電路來進行雙向可控硅電路的觸發。 在本文當中，小編將為大家介紹雙向可控硅中的過零檢測電路。



圖1過零檢測電路 電路設計如圖1所示，為了提高效率，使觸發脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發脈沖，且觸發脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us。圖1中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發出雙向可控硅的同步觸發信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。

圖2 A、B兩點電壓輸出波形