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        S3C44B0X應用設計 - 存儲器組設計

        作者: 時間:2016-12-02 來源:網絡 收藏
        存儲器組設計和控制

        S3C44B0X 有6組ROM/SRAM(ROM0 組為Boot ROM)和2組ROM/SRAM/FP/EDO/SDRAM.S3C44B0X 中的系統(tǒng)管理能夠通過S/W 控制每組的訪問時間、數據總線寬度,ROM/SRAM 組的訪問時間和 FP / EDO / SDRAM 組被系統(tǒng)管理寄存器中的BANKCON0-7和BANKCON6-7控制。組6-7的類型需要相同。(例如ROM&ROM,SDRAM&SDRAM)每組ROM/SRAM/DRAM的數據寬度受BWSCON 控制寄存器控制。

        ROM 組0用于Boot ROM 組,因此組0受H/W控制,OM[1:0]用于這個目的的。

        當系統(tǒng)復位時,通過專用的命令,LDMIA和STMIA 對 BWSCON,BANKCON0-7,BANKSIZE, MRSRB6/7實施控制。例如下面代碼用來配置特殊功能寄存器。特殊功能寄存器配置代碼:



        ROM/SRAM組的設計

        ROM/SRAM 組1-7,可以有著不同的數據總線寬度,總線寬度是受 S/W 控制的,一個 ROM/SRAM 組1-7 的設計樣例如圖 4-6,圖 4-7,圖 4-8 和圖 4-9 所示。



        圖 4-6.單字節(jié) EEPROM/SRAM Banks 設計



        圖 4-7.半字 EEPROM/SRAM 組設計

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        關鍵詞: S3C44B0X存儲器

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