正確選擇閃存寫入緩沖區大小，優化擦寫速度
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圖3. 對小地址空間（64"512字節）進行寫入操作時，采用不同緩沖區大小與寫入時間關系
大容量寫入緩沖區的產品優勢
再來對比Numonyx公司的M29EW與市場上的同類產品S29GL256P。M29EW具有1024字節的寫入緩沖區大小而S29GL256P最大的寫入緩沖區為64字節。為了說明問題，這里同時對兩種閃存芯片相同大小的地址空間進行擦寫操作，如圖4所示。測試結果表明，M29EW整體的寫入時間是S29GL256P的30%，寫入效率遠遠高于S29GL256P。究其原因很簡單，M29EW采用1024字節的寫入緩沖區大小，使得其在寫入時間相比最高采用64字節寫入緩沖區的S29GL256P，優勢非常明顯。
圖4. M29EW與S29GL256P寫入速度比較
（均采用產品最大寫入緩沖區大小，M29EW是1024字節而S29Gl256P是64字節）
結論
綜上所述，我們對Numonyx公司的NOR型閃存M29EW進行了測試分析，并與市場上同類的S29GL系列產品進行了比較。分析結果表明，對于需要經常進行讀寫操作的電子產品，如移動電子設備，汽車電子設備來說，在設計過程中采用盡可能大的緩沖區大小，提高平均每字節寫入速度，是優化提高讀寫速度的關鍵，同時也是最簡單易行的方法。在執行相同的寫入操作時，選用1024字節的寫入緩沖區大小，可使寫入速度相比使用64字節緩沖區至少提高2.5倍以上。
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