AVR內部EEPROM擦寫次數測試程序

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/* 廣州天河雙龍電子公司北京分公司 */
/* 測試EEPROM讀寫次數 */
/* 2004年12月21日 */
/* 目標MCU:MEGA48 晶振:內部RC(INT) 8MHZ */
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#include "iom48v.h"
#include "macros.h"
#define fosc 8000000 //內部8MHZ晶振
#define baud 19200 //波特率
unsigned CHAR eep_r;//EEPROM讀出的數據
unsigned CHAR N;//EEPROM讀寫次數第一部分
unsigned CHAR kk;//EEPROM讀寫次數第二部分
unsigned int count;//EEPROM讀寫次數第三部分

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串口輸出函數，用于發送記數結果
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void putCHAR(unsigned CHAR c)
{
while (!(UCSR0A&(1< UDR0=c;//數據寄存器
}

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串口初始化
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void uart_init(void)
{
UCSR0B=(1<UBRR0L=(fosc/(16*baud)-1)%256;//對波特率寄存器預置數
UBRR0H=(fosc/(16*baud)-1)/256;
UCSR0C=(0<}

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主程序
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void main(void)
{
PORTD=0xFF; //開放D口
DDRD=0xFF;
PORTB=0xFF;//開放B口
DDRB=0xFF;
uart_init();
CLI(); //關中斷，以免干涉EEPROM的寫入
while(1)
{
EEPROM_write(0x00FD,0X5A);//寫地址和數據，可修改
eep_r=EEPROM_read(0x00FD);
comp();
EEPROM_write(0x00FD,0XA5);//寫地址和數據，可修改
eep_r=EEPROM_read(0x00FD);
comp();
}
}

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對讀出的數據進行比較 正確……LED顯示R，并從串口發送數據kk
錯誤……LED顯示F，并從串口發送數據kk，count

讀寫總次數為：(N*256+kk)*4000+count
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void comp(void)
{
unsigned CHAR eep_old,count_high,count_low;
eep_old = eep_r&0x0f; //取EEPROM的低4位
eep_r = eep_r >> 4; //取EEPROM的高4位
if(eep_old+eep_r != 0x0f ) //低4位加高4位，結果和F比較
{
count_high =count >> 8;
count_low=count&0xff;
putCHAR(N);//輸出最終記數值
putCHAR(kk); //輸出最終記數值
putCHAR(count_high); //輸出此時的已讀寫次數，總數為：(N*256+kk)*4000+count（次）
putCHAR(count_low);
PORTB=0x8E; //點亮LED
PORTD=0xEF;
while(1); //讀取數據，發生一次錯誤后，程序在此處掛起。
}
else
{
count++; //每讀寫一次，count累加1
if(count>=4000) //每讀寫4000次，KK累加1
{ //并從串口送出KK
count=count-4000;
kk++;
if(kk>=255)
{
N++;
}
putCHAR(N);
putCHAR(kk);
} //點亮LED
PORTB=0x88;
PORTD=0x7F;
}
}

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EEPROM寫操作
********************************************/
void EEPROM_write(unsigned int uiAddress, unsigned CHAR ucData)
{
while(EECR & (1<EEAR = uiAddress;
EEDR = ucData;
EECR |= (1<EECR |= (1<}

/********************************************
EEPROM讀操作
*******************************************/
unsigned CHAR EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
{
while(EECR & (1<EEAR = uiAddress;
EECR |= (1<return EEDR;
}