變頻調(diào)速系統(tǒng)中過流保護電路設(shè)計與應(yīng)用
作者/ 趙文武 陜西鐵路工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院(陜西 渭南 714000)
本文引用地址:http://www.104case.com/article/201611/340861.htm摘要:針對三相變壓變頻調(diào)速VVVF系統(tǒng)的過流問題,闡述了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和驅(qū)動電路原理,設(shè)計了一種過流保護電路,通過實驗驗證該過流電路保護閾值為1V,保護延時時間為8μs。這兩項測試結(jié)果都符合MOSFET要求,可有效避免器件損壞,該研究結(jié)果具有一定的參考價值。
引言
相比于傳統(tǒng)的用可控硅實現(xiàn)調(diào)壓的電源,采用MOSFET或IGBT的開關(guān)電源的優(yōu)點在于輸出電壓紋波小,輸出平均電壓大、轉(zhuǎn)換效率高,且該器件的控制方式靈活,所以,電源系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)速度更快,電源的工作頻率提高,因此,濾波器和變壓器的體積需要減小。
在逆變電路中,有時候會出現(xiàn)過流現(xiàn)象,從而造成器件的損壞。為更好地保護電路,也為讓逆變電路更安全地工作,必須加入過流保護電路。本文在三相交流逆變電路中的數(shù)字信號處理(DSP)運算和控制的基礎(chǔ)上,過流保護電路檢測了電流信號,當(dāng)有過流信號產(chǎn)生時,關(guān)斷PWM驅(qū)動信號,從而實現(xiàn)電路的過流保護。
1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和驅(qū)動電路原理
1.1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
系統(tǒng)實現(xiàn)基于型號為TMS320F2812的DSP處理器,結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該系統(tǒng)是交流-直流-交流VVVF電路,主要由以下幾大部分組成:主電路、驅(qū)動電路、控制電路和輔助電路。電路整流部分使用二極管整流,逆變部分由MOSFET接成三相H輸出,整流與逆變的中間直流環(huán)節(jié)使用大電容濾波。本設(shè)計為實驗裝置,電路軟啟動通過可調(diào)變壓器實現(xiàn),以避免上電瞬間出現(xiàn)較大沖擊電流。
DSP的主要功能是完成控制方法的運算,并完成電路中電壓和電流的檢測與計算。系統(tǒng)輔助電路主要由開關(guān)電源、電壓轉(zhuǎn)換模塊、過流保護電流、放電電路、電壓檢測和電流檢測電路、轉(zhuǎn)速檢測及調(diào)理電路組成。
圖1中定子線電壓、線電流以及轉(zhuǎn)速經(jīng)檢測環(huán)節(jié)的調(diào)理電路后輸入DSP,經(jīng)過矢量控制算法,由DSP輸出6路SVPWM,經(jīng)驅(qū)動電路放大后,驅(qū)動逆變器工作。220V的交流電經(jīng)過不可控整流和三相逆變器,通過SVPWM控制驅(qū)動三相異步電動機運行。當(dāng)主電路出現(xiàn)過流時,過流保護電路會封鎖驅(qū)動電路的PWM輸出信號,保護主電路并顯示過流信號。
1.2 驅(qū)動電路原理
如圖2所示為本實驗所使用的驅(qū)動電路的原理圖,其作用是將DSP產(chǎn)生的,驅(qū)動能力較弱的PWM信號放大為能夠驅(qū)動MOSFET開通和關(guān)斷的信號,使得主電路能夠正常工作。該電路采用自舉的方案,既能適用三相逆變橋的上管,也可以應(yīng)用于下管。
圖中電容CqF6延時了PWM輸入,相當(dāng)于開關(guān)切換時加入了硬件死區(qū)。12V電源電壓經(jīng)DqF1-RqF2-DWF1給光耦UqF1供電,穩(wěn)壓管的作用使得光耦的電源電壓為5V,通過二極管DqF3將光耦的輸出高電平電壓鉗位在5.8V左右。在驅(qū)動下管時:當(dāng)PWM輸出低電平時,光耦UqF1隔離輸出為高電平,MOS管QqF1開通,電容CqF4通過回路DqF1-DqF2-CqF4-DqF4-QqF1充電,直至電容兩端的電壓接近12V,此時G6端電壓為零,即為MOSFET關(guān)斷。當(dāng)PWM輸出為高電平時,光耦UqF1隔離輸出為低電平,所以MOS管QqF1關(guān)斷,此時由于電容CqF4電壓12V加在MOSFET QqF2柵源間所以QqF2導(dǎo)通,而12V電壓通過DqF1-RqF5-QqF2使得MOSFET柵極電壓為高電平,使其導(dǎo)通。驅(qū)動上管的工作原理與驅(qū)動下管時相似,主要區(qū)別在于,當(dāng)下管開通時,12V電源電壓經(jīng)DqF1-CqF5給電容CqF5充電直至接近電源電壓。而當(dāng)下管關(guān)斷時,上管驅(qū)動的電源將有此電容供電,起到了自舉作用。
2 過流保護電路的設(shè)計
當(dāng)主電路工作異常導(dǎo)致工作電流超過設(shè)定的最大電流時,就會使得過流檢測電路動作,封鎖DSP產(chǎn)生的PWM的輸出,保護實驗設(shè)備的安全。過流檢測和過流保護電路分別如圖3和圖4所示,其中S2和GNDA之間的電壓是通過串入主電路中的康銅絲作為檢流電阻檢測得到。當(dāng)檢流電阻兩端的電壓高于0.7V時,即S2端電壓高于GNDA的電壓,比較器反相端的電壓高于同相端,輸出為低電平。經(jīng)過隔離光耦0601隔離后輸出為5V高電平,經(jīng)過74HC00后3端輸出為低電平,之后經(jīng)過由兩與非門構(gòu)成的SR鎖存器。6端輸出為高電平,11端的輸出是低電平,則發(fā)光二極管LED亮,顯示過流,此時MOS管Qq1導(dǎo)通,驅(qū)動信號被強制下拉為低電平,從而封鎖了PWM驅(qū)動信號;當(dāng)檢流電阻兩端的電壓小于0.7V時,比較器輸出為高電平,經(jīng)光耦0601已經(jīng)74HC00后3輸出為高電平,不影響SR鎖存器的狀態(tài),電路工作正常。
3 實驗研究
實驗平臺主電路結(jié)構(gòu)為電壓型三相交流逆變器,如圖5所示,其中,過流保護電路實物如圖6所示,為方便看清電路板實物大小,圖中以一枚一角硬幣做參照。實驗結(jié)果如圖7所示。
從上述調(diào)試結(jié)果(a)圖看出,過流保護電路的保護閾值為1V,即過流1V及以上時,過流保護電路就會動作,不輸出PWM驅(qū)動波形,從而保護主電路。從(b)圖看出,橫軸每格5μs,該保護電路的保護延時時間為8μs。查看MOSFET手冊,可知這兩項測試結(jié)果均符合要求。
4 結(jié)論
設(shè)計三相交流變壓變頻調(diào)速系統(tǒng)的過流保護電路時,兼顧考慮了電源系統(tǒng),用兩個DC-DC電源轉(zhuǎn)換模塊分別產(chǎn)生所需要的電平,隨后通過實驗測試,確定過流保護電路的保護閾值為1V,保護延時為8μs,所設(shè)計的過流保護電路符合主電路MOSFET要求。
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本文來源于中國科技期刊《電子產(chǎn)品世界》2016年第11期第62頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。
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