九 ARM9(2440)對nand flash的讀寫操作-程序實例分析

#include "include.h"

extern void Uart_Printf(char *fmt,...);
extern void Uart_Init(int baud);
//extern void Uart_Select(int ch);

static void InitNandCfg(void)
{
rGPACON = (rGPACON &~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17);//配置芯片引腳,因為GPACON復位后各位的值為1，所以此步也可沒有

//TACLS為1個HCLK，TWRPH0為5個HCLK，TWRPH1為2個HCLK，數據寬度8位
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
//禁止緊鎖,軟件禁止上鎖，禁止非法訪問中斷，禁止RnB 中斷，RnB檢測上升沿，鎖定備份ECC，鎖定主數據區域ECC生成，初始化ECC 編碼器/譯碼器，
//強制nFCE 為高（禁止片選）,NAND Flash 控制器使能
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
}

static U32 WaitNFBusy(void)// R/B 未接好?
{
U8 stat;

WrNFCmd(QUERYCMD);//0x70,讀狀態命令
do
{
stat = RdNFDat();//讀取NFDATA
}
while (!(stat&0x40));//，第6位，判斷是否在忙
WrNFCmd(READCMD0);//寫頁讀命令周期0
return stat&1;//注意0為操作成功
}

static U32 ReadChipId(void)
{
U32 id,k;

NFChipEn();//使能片選
WrNFCmd(RdIDCMD);//讀ID命令
WrNFAddr(0);//寫入地址0
while(NFIsBusy());//等待不忙
id= RdNFDat()<<8;//應該是只讀的廠商ID
for(k=0;k<500;k++);//延時
id |= RdNFDat();//低8位為設備ID
NFChipDs();//關閉片選

return id;//返回ID值
}

static U16 ReadStatus(void)
{
U16 stat;

NFChipEn();//片選使能
WrNFCmd(QUERYCMD);//讀狀態命令
stat = RdNFDat();//讀取狀態值
NFChipDs();//關閉片選

return stat;
}

U32 EraseBlock(U32 addr)//輸入參數是具體的頁數，擦除的是頁數所在的塊
{
U8 stat;

addr &= ~0x3f;//為了將地址賦給A18~A19

NFChipEn();//片選使能
WrNFCmd(ERASECMD0);//擦除命令周期0
WrNFAddr(addr);//寫地址寫3個行周期A18~A19
WrNFAddr(addr>>8);//A20~A27
WrNFAddr(addr>>16);//A28
WrNFCmd(ERASECMD1);//擦除命令周期1
stat = WaitNFBusy();//等待不忙
NFChipDs();//關閉片選

return ~stat;//返回1則操作成功
}

void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)//并沒有使用ECC校驗
{
U16 i;

NFChipEn();//片選使能
WrNFCmd(READCMD0);//讀命令周期0
WrNFAddr(0);//寫列地址A0~A7
WrNFAddr(0);//寫列地址A8~A11
WrNFAddr(addr);//行地址A12~A19
WrNFAddr(addr>>8);//行地址A20~A27
WrNFAddr(addr>>16);//行地址A28
WrNFCmd(READCMD1);//讀命令周期1
InitEcc();//復位ECC
WaitNFBusy();
for(i=0; i<2048; i++)
buf[i] = RdNFDat();//讀取數據存入buf中
NFChipDs();//關閉片選
}

U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf)
{
U32 i, mecc;
U8 stat, tmp[7];


NFChipEn();
WrNFCmd(PROGCMD0);//頁寫命令周期1
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);
WrNFAddr(addr>>16);
InitEcc();//reset mecc and secc
MEccUnlock();//ECC解鎖
for(i=0; i<2048; i++)
WrNFDat(buf[i]);//寫數據
MEccLock();//鎖定ECC值

mecc =RdNFMEcc();//讀取ECC碼
//把ECC碼轉化為字節型
tmp[0] = mecc&0xff;
tmp[1] = (mecc>>8)&0xff;
tmp[2] = (mecc>>16)&0xff;
tmp[3] = (mecc>>24)&0xff;
tmp[5] = 0xff;//mark good block

WrNFDat(0xff);//2048，壞塊標志
SEccUnlock();//解鎖spare區ECC
WrNFDat(tmp[0]);//把main區的ECC寫入spare區的前4個字節
WrNFDat(tmp[1]);
WrNFDat(tmp[2]);
WrNFDat(tmp[3]);
SEccLock();//鎖定spare區ECC

WrNFCmd(PROGCMD1);//頁寫命令周期1
stat = WaitNFBusy();
NFChipDs();

return ~stat;


}

void nandMain(void)
{
U16 ID,i;
U8buf[2048];
U32 NFBlockNO=6;
U32 NFPagesNO = 25; //第6塊第25頁
U32 status;
U32 BlockPages;

BlockPages =(NFBlockNO<<6)+NFPagesNO; //轉化為總頁數

Uart_Init(115200);
Uart_Printf("nthe main is runningn");

InitNandCfg();//初始化函數
ID=ReadChipId();//ID 我的是現代的FLash，ID為：adda
Uart_Printf("nnand flash`s ID is:%xn",ID);

if(EraseBlock(BlockPages)&0x1==TRUE)//因為EraseBlock()的輸入參數是頁數，所以輸入的是BlockPages
{
Uart_Printf("nblock %d is erasedn",NFBlockNO);//打印擦除的是那一塊

ReadPage(BlockPages,buf);//讀取擦除后的數據

Uart_Printf("nn");
for(i=0; i<2048; i++)
Uart_Printf("%4x", buf[i]); //將讀出的數據進行打印

Uart_Printf("nn");
for(i=0; i<2048; i++)
{
buf[i] = i;
Uart_Printf("%4x", buf[i]);
}

Uart_Printf("nWrite data[%d block, %d page].n", NFBlockNO,NFPagesNO);
status = WritePage(BlockPages,buf);//寫入數據

if(status&0x1==TRUE )//返回成功值
Uart_Printf("nWrite OK.n");
else
Uart_Printf("nWrite Error.n");

for(i=0; i<2048; i++)
buf[i] = 1;//為驗證后邊數組中的數據是來自flash，實際上相當于是在數組中擦除了flash的數據，因為如果flash擦除時內容就全為1


ReadPage(BlockPages,buf); //將讀取的數據存入buf中
Uart_Printf("nRead data[%d block, %d page].n", NFBlockNO,NFPagesNO);//輸出塊號和頁號

Uart_Printf("nn");
for(i=0; i<2048; i++)
Uart_Printf("%4x", buf[i]);//打印所讀取的數據
}

else
Uart_Printf("nblock %4x erased is badn",NFBlockNO); //否則是壞塊，并打印信息

while(1);
}