新聞中心

        EEPW首頁 > 嵌入式系統 > 設計應用 > S3C2440對Nand Flash操作和電路原理(基于K9F2G08U0A)

        S3C2440對Nand Flash操作和電路原理(基于K9F2G08U0A)

        作者: 時間:2016-11-26 來源:網絡 收藏

        下面就開始詳細介紹K9F2G08U0A的基本操作,包括復位,讀ID,頁讀、寫數據,隨意讀、寫數據,塊擦除等。

        為了更好地應用ECC和使能Nand Flash片選,我們還需要一些宏定義:

        #define NF_nFCE_L(){rNFCONT &= ~(1<<1); }

        #define NF_CE_L()NF_nFCE_L()//打開nandflash片選

        #define NF_nFCE_H(){rNFCONT |= (1<<1); }

        #define NF_CE_H() NF_nFCE_H() //關閉nandflash片選

        #define NF_RSTECC(){rNFCONT |= (1<<4); }//復位ECC

        #define NF_MECC_UnLock(){rNFCONT &= ~(1<<5); }//解鎖main區ECC

        #define NF_MECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<5); }//鎖定main區ECC

        #define NF_SECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1<<6); }//解鎖spare區ECC

        #define NF_SECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<6); }//鎖定spare區ECC

        NFSTAT是另一個比較重要的寄存器,它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙,第2位用于檢測RnB引腳信號:

        #define NF_WAITRB(){while(!(rNFSTAT&(1<<0)));} //等待Nand Flash不忙

        #define NF_CLEAR_RB(){rNFSTAT |= (1<<2); }//清除RnB信號

        #define NF_DETECT_RB(){while(!(rNFSTAT&(1<<2)));}

        //等待RnB信號變高,即不忙

        NFCMMD,NFADDR和NFDATA分別用于傳輸命令,地址和數據,為了方便起見,我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作:

        #define NF_CMD(data) {rNFCMD = (data); }//傳輸命令

        #define NF_ADDR(addr){rNFADDR = (addr); }//傳輸地址

        #define NF_RDDATA() rNFDATA) //讀32位數據

        #define NF_RDDATA8()(rNFDATA8)//讀8位數據

        #define NF_WRDATA(data){rNFDATA = (data); }//寫32位數據

        #define NF_WRDATA8(data) {rNFDATA8 = (data); }//寫8位數據

        首先,是初始化操作

        void rNF_Init(void)

        {

        rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|( TWRPH1<<4)|(0<<0);//初始化時序參數

        rNFCONT =

        (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0); //非鎖定,屏蔽nandflash中斷,初始化ECC及鎖定main區和spare區ECC,使能nandflash片選及控制器

        rNF_Reset();//復位芯片

        }

        復位操作,寫入復位命令

        static void rNF_Reset()

        {

        NF_CE_L();//打開nandflash片選

        NF_CLEAR_RB();//清除RnB信號

        NF_CMD(CMD_RESET); //寫入復位命令

        NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高,即不忙

        NF_CE_H();//關閉nandflash片選

        }

        讀取K9F2G08U0A芯片ID的操作如下:時序圖在datasheet的figure18。首先需要寫入讀ID命令(0x90),然后再寫入0x00地址,并等待芯片就緒,就可以讀取到一共五個周期的芯片ID,第一個周期為廠商ID,第二個周期為設備ID,第三個周期至第五個周期包括了一些具體的該芯片信息,函數如下

        static char rNF_ReadID()

        {

        char pMID;

        char pDID;

        char cyc3, cyc4, cyc5;

        NF_nFCE_L();//打開nandflash片選

        NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

        NF_CMD(CMD_READID);//讀ID命令

        NF_ADDR(0x0); //寫0x00地址

        for ( i = 0; i < 100; i++ );等一段時間

        //讀五個周期的ID

        pMID = NF_RDDATA8();//廠商ID:0xEC

        pDID = NF_RDDATA8();//設備ID:0xDA

        cyc3 = NF_RDDATA8();//0x10

        cyc4 = NF_RDDATA8();//0x95

        cyc5 = NF_RDDATA8();//0x44

        NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

        return (pDID);

        }

        下面介紹Nand Flash讀操作,讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取數據的過程中不進行ECC校驗判斷,則讀操作比較簡單,在寫入讀命令的兩個周期之間寫入要讀取的頁地址,然后讀取數據即可。如果為了更準確地讀取數據,則在讀取完數據之后還要進行ECC校驗判斷,以確定所讀取的數據是否正確。

        在上文中已經介紹過,Nand Flash的每一頁有兩區:main區和spare區,main區用于存儲正常的數據,spare區用于存儲其他附加信息,其中就包括ECC校驗碼。當我們在寫入數據的時候,我們就計算這一頁數據的ECC校驗碼,然后把校驗碼存儲到spare區的特定位置中,在下次讀取這一頁數據的時候,同樣我們也計算ECC校驗碼,然后與spare區中的ECC校驗碼比較,如果一致則說明讀取的數據正確,如果不一致則不正確。ECC的算法較為復雜,好在S3C2440能夠硬件產生ECC校驗碼,這樣就省去了不少的麻煩事。S3C2440既可以產生main區的ECC校驗碼,也可以產生spare區的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口,因此S3C2440共產生4個字節的main區ECC碼和2個字節的spare區ECC碼。在這里我們規定,在每一頁的spare區的第0個地址到第3個地址存儲main區ECC,第4個地址和第5個地址存儲spare區ECC。

        產生ECC校驗碼的過程為:在讀取或寫入哪個區的數據之前,先解鎖該區的ECC,以便產生該區的ECC。在讀取或寫入完數據之后,再鎖定該區的ECC,這樣系統就會把產生的ECC碼保存到相應的寄存器中。main區的ECC保存到NFMECC0/1中(因為K9F2G08U0A是8位IO口,因此這里只用到了NFMECC0),spare區的ECC保存到NFSECC中。對于讀操作來說,我們還要繼續讀取spare區的相應地址內容,以得到上次寫操作時所存儲的main區和spare區的ECC,并把這些數據分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最后我們就可以通過讀取NFESTAT0/1(因為K9F2G08U0A是8位IO口,因此這里只用到了NFESTAT0)中的低4位來判斷讀取的數據是否正確,其中第0位和第1位為main區指示錯誤,第2位和第3位為spare區指示錯誤。

        下面是一段具體的頁讀操作程序:

        U8 rNF_ReadPage( U32 page_number )

        {

        U32 i, mecc0, secc;

        NF_RSTECC();//復位ECC

        NF_MECC_UnLock(); //解鎖main區ECC

        NF_nFCE_L();//使能芯片

        NF_CLEAR_RB();//清除RnB

        NF_CMD(CMD_READ1); //頁讀命令周期1,0x00

        //寫入5個地址周期

        NF_ADDR(0x00); //列地址A0-A7

        NF_ADDR(0x00); //列地址A8-A11

        NF_ADDR((addr) & 0xff); //行地址A12-A19

        NF_ADDR((addr >> 8) & 0xff); //行地址A20-A27

        NF_ADDR((addr >> 16) & 0xff); //行地址A28

        NF_CMD(CMD_READ2); //頁讀命令周期2,0x30

        NF_DETECT_RB(); ////等待RnB信號變高,即不忙

        for (i = 0; i < 2048; i++)

        {

        buf[i] = NF_RDDATA8();//讀取一頁數據內容

        }

        NF_MECC_Lock();//鎖定main區ECC值

        NF_SECC_UnLock();//解鎖spare區ECC

        mecc0=NF_RDDATA();//讀spare區的前4個地址內容,即第2048~2051地址,這4個字節為main區的ECC

        //把讀取到的main區的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應位置內

        rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);

        rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);

        NF_SECC_Lock();//鎖定spare區的ECC值

        secc=NF_RDDATA();//繼續讀spare區的4個地址內容,即第2052~2055地址,其中前2個字節為spare區的ECC值

        //把讀取到的spare區的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應位置內

        rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);

        NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

        //判斷所讀取到的數據是否正確

        if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)

        return 0x66; //正確

        else

        return 0x44; //錯誤

        }

        這段程序是把某一頁的內容讀取到全局變量數組buffer中。該程序的輸入參數直接就為K9F2G08U0A的第幾頁,例如我們要讀取第128064頁中的內容,可以調用該程序為:rNF_ReadPage(128064)。由于第128064頁是第2001塊中的第0頁(128064=2001×64+0),所以為了更清楚地表示頁與塊之間的關系,也可以寫為:rNF_ReadPage(2001*64)。

        頁寫操作的大致流程為:在兩個寫命令周期之間分別寫入頁地址和數據,當然如果為了保證下次讀取該數據時的正確性,還需要把main區的ECC值和spare區的ECC值寫入到該頁的spare區內。然后我們還需要讀取狀態寄存器,以判斷這次寫操作是否正確。下面就給出一段具體的頁寫操作程序,其中輸入參數也是要寫入數據到第幾頁:

        U8 rNF_WritePage(U32 page_number)

        {

        U32 i, mecc0, secc;

        U8 stat, temp;

        temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判斷該塊是否為壞塊

        if(temp == 0x33)

        return 0x42; //是壞塊,返回

        NF_RSTECC(); //復位ECC

        NF_MECC_UnLock();//解鎖main區的ECC

        NF_nFCE_L();//打開nandflash片選

        NF_CLEAR_RB(); //清RnB信號

        NF_CMD(CMD_WRITE1); //頁寫命令周期1

        //寫入5個地址周期

        NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7

        NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11

        NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19

        NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27

        NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28

        for (i = 0; i < 2048; i++)//寫入一頁數據

        {

        NF_WRDATA8((char)(i+6));

        }

        NF_MECC_Lock();//鎖定main區的ECC值

        mecc0=rNFMECC0; //讀取main區的ECC校驗碼

        //把ECC校驗碼由字型轉換為字節型,并保存到全局變量數組ECCBuf中

        ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);

        ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);

        ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);

        ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);

        NF_SECC_UnLock(); //解鎖spare區的ECC

        //把main區的ECC值寫入到spare區的前4個字節地址內,即第2048~2051地址

        for(i=0;i<4;i++)

        {

        NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);

        }

        NF_SECC_Lock(); //鎖定spare區的ECC值

        secc=rNFSECC; //讀取spare區的ECC校驗碼

        //把ECC校驗碼保存到全局變量數組ECCBuf中

        ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);

        ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);

        //把spare區的ECC值繼續寫入到spare區的第2052~2053地址內

        for(i=4;i<6;i++)

        {

        NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);

        }

        NF_CMD(CMD_WRITE2);//頁寫命令周期2

        delay(1000); //延時一段時間,以等待寫操作完成

        NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀態命令

        //判斷狀態值的第6位是否為1,即是否在忙,該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同

        do{

        stat = NF_RDDATA8();

        }while(!(stat&0x40));

        NF_nFCE_H(); //關閉Nand Flash片選

        //判斷狀態值的第0位是否為0,為0則寫操作正確,否則錯誤

        if (stat & 0x1)

        {

        temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標注該頁所在的塊為壞塊

        if (temp == 0x21)

        return 0x43 //標注壞塊失敗

        else

        return 0x44; //寫操作失敗

        }

        else

        return 0x66; //寫操作成功

        }



        評論


        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 东丽区| 牟定县| 东乌| 武安市| 东丽区| 宁安市| 伊宁市| 漠河县| 城口县| 大城县| 海门市| 望江县| 墨江| 新闻| 叙永县| 岳池县| 竹溪县| 东乡县| 桃园县| 凤庆县| 镇赉县| 塔城市| 平远县| 紫云| 咸宁市| 玉田县| 通许县| 凉山| 京山县| 合阳县| 河津市| 孟津县| 中方县| 阿坝| 阿尔山市| 汾西县| 壶关县| 汤原县| 梨树县| 宜兴市| 盐山县|