單片機IO驅動繼電器電路的誤區(qū)

采用下圖，改變電阻R，測試結果如下：

1）R=2K，VCC=5V，此時VCE=0.96V，線圈電壓4.04V。

2）R=4K，VCC=5V，此時VCE=1.2V，線圈電壓3.8V

3）R=6K，VCC=5V，此時VCE=1.6V，線圈電壓3.4V。（Ib=0.126mA，Ie＝28.2mA，Ic＝27.9mA，放大倍數221）

這幾種情況下，8550工作在放大狀態(tài)。而繼電器要求8550工作在飽和區(qū)，當開關使。繼續(xù)縮小R，也許會使得效果有改善，但不見得是最佳電路，適應范圍小。

采用下圖2，實測結果如下：

1）R=2K，VCC=5.02V，此時VCE=0.037V，線圈電壓4.983V。（Ib=2.14mA，Ie=39.3mA，Ic=37.5mA，VR=4.285V，VEB=VCB=0.7V左右）

2）R=6K，VCC=5.02V，此時VCE=0.06V，線圈電壓4.96V。

可見，R大小對線圈兩端電壓影響較小，達到繼電器要求。8550一直工作在飽和區(qū)，達到設計要求。

單獨測試繼電器，VCC緩慢增加時，到3.4V時吸合；VCC下降到1.1V是斷開。如果8550沒有工作在飽和區(qū)，即便線圈兩端有4.0V以上的電壓，繼電器吸合了，但并不工作在穩(wěn)定狀態(tài)，此乃設計的大忌。