STM32 外部 SRAM
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IS62WV51216簡(jiǎn)介
本文引用地址：http://www.104case.com/article/201611/317049.htmIS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)：
l高速。具有45ns/55ns訪(fǎng)問(wèn)速度。
l低功耗。
lTTL電平兼容。
l全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。
l三態(tài)輸出。
l字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
看看實(shí)現(xiàn)IS62WV51216的訪(fǎng)問(wèn)，需要對(duì)FSMC進(jìn)行哪些配置。這里就做一個(gè)概括性的講解。步驟如下：
1）使能FSMC時(shí)鐘，并配置FSMC相關(guān)的IO及其時(shí)鐘使能。
要使用FSMC，當(dāng)然首先得開(kāi)啟其時(shí)鐘。然后需要把FSMC_D0~15，F(xiàn)SMCA0~18等相關(guān)IO口，全部配置為復(fù)用輸出，并使能各IO組的時(shí)鐘。
使能FSMC時(shí)鐘的方法：
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
對(duì)于其他IO口設(shè)置的方法前面講解很詳細(xì)，這里不做過(guò)多的講解。
2）設(shè)置FSMCBANK1區(qū)域3。
此部分包括設(shè)置區(qū)域3的存儲(chǔ)器的工作模式、位寬和讀寫(xiě)時(shí)序等。我們使用模式A、16位寬，讀寫(xiě)共用一個(gè)時(shí)序寄存器。使用的函數(shù)是：
voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)
3）使能BANK1區(qū)域3。
使能BANK的方法跟前面LCD實(shí)驗(yàn)也是一樣的，這里也不做詳細(xì)講解，函數(shù)是：
voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；
通過(guò)以上幾個(gè)步驟，我們就完成了FSMC的配置，可以訪(fǎng)問(wèn)IS62WV51216了，這里還需要注意，因?yàn)槲覀兪褂玫氖荁ANK1的區(qū)域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部?jī)?nèi)存的首地址為0X68000000。
- //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
- //對(duì)IS61LV25616/IS62WV25616,地址線(xiàn)范圍為A0~A17
- //對(duì)IS61LV51216/IS62WV51216,地址線(xiàn)范圍為A0~A18
- #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
- //初始化外部SRAM
- voidFSMC_SRAM_Init(void)
- {
- FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
- FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
- RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
- RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD復(fù)用推挽輸出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//復(fù)用推挽輸出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
- GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE復(fù)用推挽輸出
- GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
- GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
- GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
- readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址建立時(shí)間（ADDSET）為1個(gè)HCLK 1/36M=27ns
- readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址保持時(shí)間（ADDHLD）模式A未用到
- readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//數(shù)據(jù)保持時(shí)間（DATAST）為3個(gè)HCLK 4/72M=55ns(對(duì)EM的SRAM芯片)
- readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//模式A
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 這里我們使用NE3 ，也就對(duì)應(yīng)BTCR[4],[5]。
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)寬度為16bit
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存儲(chǔ)器寫(xiě)使能
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 讀寫(xiě)使用相同的時(shí)序
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//讀寫(xiě)同樣時(shí)序
- FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC配置
- FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
- }
- //在指定地址開(kāi)始,連續(xù)寫(xiě)入n個(gè)字節(jié).
- //pBuffer:字節(jié)指針
- //WriteAddr:要寫(xiě)入的地址
- //n:要寫(xiě)入的字節(jié)數(shù)
- voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
- {
- for(;n!=0;n--)
- {
- *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
- WriteAddr+=2;//這里需要加2，是因?yàn)镾TM32的FSMC地址右移一位對(duì)其.加2相當(dāng)于加1.
- pBuffer++;
- }
- }
- //在指定地址開(kāi)始,連續(xù)讀出n個(gè)字節(jié).
- //pBuffer:字節(jié)指針
- //ReadAddr:要讀出的起始地址
- //n:要寫(xiě)入的字節(jié)數(shù)
- voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
- {
- for(;n!=0;n--)
- {
- *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
- ReadAddr+=2;//這里需要加2，是因?yàn)镾TM32的FSMC地址右移一位對(duì)其.加2相當(dāng)于加1.
- }
- }
- ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
- //測(cè)試函數(shù)
- //在指定地址寫(xiě)入1個(gè)字節(jié)
- //addr:地址
- //data:要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
- voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
- {
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫(xiě)入1個(gè)字節(jié)
- }
- //讀取1個(gè)字節(jié)
- //addr:要讀取的地址
- //返回值:讀取到的數(shù)據(jù)
- u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
- {
- u8data;
- FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
- returndata;
- }
評(píng)論