AVR單片機EEPROM的操作
EEPROM的簡介
EEPROM的寫操作
EEPROM的讀操作
出于簡化程序考慮,各種數據沒有對外輸出,學習時建議使用JTAG ICE硬件仿真器
在打開調試文件到JTAG后,
打開Debug -> JTAG ICE Options菜單,
然后在JTAG ICE Properties中點擊Dbug頁面,將preserve eeprom選項選中。
在每次仿真調試時候,就保護EEPROM內容了。
否則,會按照默認設置擦除EEPROM的內容。
由于定義了EEPROM變量,JTAG調試時會詢問是否初始化EEPROM,請選擇[否]
EEPROM的數據也可以在view->memory,選Eeprom窗口下察看
*/
#include <avr/io.h>
#include
////時鐘定為內部1MHz,F_CPU=1000000時鐘頻率對程序的運行沒什么影響
/*
GCCAVR(avr-libc)里面自帶了EEPROM的讀寫函數。
下面列舉部分常用函數(原型)
#define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)
檢測EEPROM是否準備好。OK返回1(返回EEWE位)
#define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())
等待EEPROM操作完成
extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);
讀取指定地址的一個字節8bit的EEPROM數據
extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);
讀取指定地址的一個字16bit的EEPROM數據
extern void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n);
讀取由指定地址開始的指定長度的EEPROM數據
extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);
向指定地址寫入一個字節8bit的EEPROM數據
extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);
向指定地址寫入一個字16bit的EEPROM數據
extern void eeprom_write_block (const void *buf, void *addr, size_t n);
由指定地址開始寫入指定長度的EEPROM數據
但不支持部分AVR,原文如下:
note This library will e not work with the following devices since these
devices have the EEPROM IO ports at different locations:
- AT90CAN128
- ATmega48
- ATmega88
- ATmega165
- ATmega168
- ATmega169
- ATmega325
- ATmega3250
- ATmega645
- ATmega6450
*/
/*
在程序中對EEPROM操作有兩種方式
方式一:直接指定EERPOM地址
即讀寫函數的地址有自己指定,用于需要特定數據排列格式的應用中
方式二:先定義EEPROM區變量法
在這種方式下變量在EEPROM存儲器內的具體地址由編譯器自動分配。
相對方式一,數據在EEPROM中的具體位置是不透明的。
為EEPROM變量賦的初始值,編譯時被分配到.eeprom段中,
可用avr-objcopy工具從.elf文件中提取并產生ihex或binary等格式的文件,
從而可以使用編程器或下載線將其寫入到器件的EEPROM中。
實際上WINAVR中MFILE生成的MAKEFILE已經為我們做了這一切。
它會自動生成以 “.eep” 為后綴的文件,通常它是iHex格式
(這次測試發現 分配地址是從0x0000開始的,故增加了一個EEPROM變量Evalvoid[16])
如果同時使用方式1和2,請注意防止地址重疊,自己指定的地址應該選在后面。
*/
//全局變量
unsigned charEDATA;
unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,
0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F};//原始數據
unsigned char CMPDATA[16];//比較數據
//仿真時在watch窗口,監控這些全局變量。
//EEPROM變量定義
unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //這個沒用到
unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));
int main(void)
{
eeprom_write_byte (0x40,0xA5);//向EEPROM的0x40地址寫入數據0xA5
EDATA=eeprom_read_byte (0x40);//讀出,然后看看數據對不對?
//上面兩句編譯是有如下警告,但不必理會
//EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte makes pointer from integer without a cast
//EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte makes pointer from integer without a cast
eeprom_write_block (&ORGDATA[0], &Eval[0], 16);//塊寫入
//看看EEPROM數據是否是能失電永久保存,可以注釋上面這句程序(不寫入,只是讀出),然后編譯,燒寫,斷電(一段時間),上電,調試。
eeprom_read_block (&CMPDATA[0],&Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數據對不對?
while (1);
}
/*
ATmega16包含512字節的EEPROM數據存儲器。
它是作為一個獨立的數據空間而存在的,可以按字節讀寫。
EEPROM的壽命至少為100,000次擦除周期。
EEPROM的訪問由地址寄存器EEAR、數據寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。
也可以通過ISP和JTAG及并行電纜來固化EEPROM數據
EEPROM數據的讀取:
當EEPROM地址設置好之后,需置位EERE以便將數據讀入EEDR。
EEPROM數據的讀取需要一條指令,且無需等待。
讀取EEPROM后CPU要停止4個時鐘周期才可以執行下一條指令。
注意:用戶在讀取EEPROM時應該檢測EEWE。如果一個寫操作正在進行,就無法讀取EEPROM,也無法改變寄存器EEAR。
EEPROM數據的寫入:
1 EEPROM的寫訪問時間(自定時時間,編程時間)
自定時功能可以讓用戶軟件監測何時可以開始寫下一字節。(可以采用中斷方式)
經過校準的1MHz片內振蕩器用于EEPROM定時,不倚賴CKSEL熔絲位的設置。
改變OSCCAL寄存器的值會影響內部RC振蕩器的頻率因而影響寫EEPROM的時間。
EEPROM自定時時間約為8.5 ms即1MHz片內振蕩器的8448個周期
注意:這個時間是硬件定時的,數值比較保險,其實真正的寫入時間根本就用不了8.5mS那么長,而且跟電壓有關,但芯片沒有提供其他的檢測編程完成的方法
這個問題表現在舊版的AT90S系列上面,由于沒有自定時,數值定得太短,ATMEL給人投訴到頭都爆,呵呵!
參考:《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的
寫EEPROM定時的改進
在AT90S8535中寫EEPROM的時間取決于供電電壓,通常為2.5ms@VCC=5V,4ms@VCC=2.7V。
ATmega8535中寫EEPROM的時間為8448個校準過的RC振蕩器周期(與系統時鐘的時鐘源和頻率無關)。
假定校準過的RC振蕩器為1.0MHz,則寫時間的典型值為8.4ms,與VCC無關。
2為了防止無意識的EEPROM寫操作,需要執行一個特定的寫時序
(如果使用編譯器的自帶函數,無須自己操心)
寫時序如下(第3步和第4步的次序并不重要):
1.等待EEWE位變為零
2.等待SPMCSR中的SPMEN位變為零
3.將新的EEPROM地址寫入EEAR(可選)
4.將新的EEPROM數據寫入EEDR(可選)
5.對EECR寄存器的EEMWE寫"1",同時清零EEWE
6.在置位EEMWE的4個周期內,置位EEWE
經過寫訪問時間之后,EEWE硬件清零。
用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
EEWE置位后,CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。
注意:
1:在CPU寫Flash存儲器的時候不能對EEPROM進行編程。
在啟動EEPROM寫操作之前軟件必須檢查Flash寫操作是否已經完成
步驟(2)僅在軟件包含引導程序并允許CPU對Flash進行編程時才有用。
如果CPU永遠都不會寫Flash,步驟(2)可省略。
2:如果在步驟5和6之間發生了中斷,寫操作將失敗。
因為此時EEPROM寫使能操作將超時。
如果一個操作EEPROM的中斷打斷了另一個EEPROM操作,EEAR或EEDR寄存器可能被修改,引起EEPROM操作失敗。
建議此時關閉全局中斷標志I。
經過寫訪問時間之后,EEWE硬件清零。用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
EEWE置位后,CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。
若程序執行掉電指令時EEPROM的寫操作正在進行,EEPROM的寫操作將繼續,并在指定的寫訪問時間之前完成。
但寫操作結束后,振蕩器還將繼續運行,單片機并非處于完全的掉電模式。因此在執行掉電指令之前應結束EEPROM的寫操作。
防止EEPROM數據丟失
若電源電壓過低,CPU和EEPROM有可能工作不正常,造成EEPROM數據的毀壞(丟失)。
**這種情況在使用獨立的EEPROM器件時也會遇到。因而需要使用相同的保護方案。
由于電壓過低造成EEPROM數據損壞有兩種可能:
一是電壓低于EEPROM寫操作所需要的最低電壓;
二是CPU本身已經無法正常工作。
EEPROM數據損壞的問題可以通過以下方法解決:
當電壓過低時保持AVR RESET信號為低。
這可以通過使能芯片的掉電檢測電路BOD來實現。如果BOD電平無法滿足要求則可以使用外部復位電路。
若寫操作過程當中發生了復位,只要電壓足夠高,寫操作仍將正常結束。
(EEPROM在2V低壓下也能進行寫操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)
掉電檢測BOD的誤解
AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路,作用是在電壓過低(低于設定值)時產生復位信號,防止CPU意外動作.
對EEPROM的保護作用是當電壓過低時保持RESET信號為低,防止CPU意外動作,錯誤修改了EEPROM的內容
而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預測功能的可以進行軟件處理的功能。
例如,用戶想在電源掉電時把SRAM數據轉存到EEPROM,可行的方法是
外接一個在4.5V翻轉的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V),輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)
一但電壓低于4.5V,馬上觸發中斷,在中斷服務程序中把數據寫到EEPROM中保護起來
注意:寫一個字節的EEPROM時間長達8mS,所以不能寫入太多數據,電源濾波電容也要選大一些
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