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        AVR單片機EEPROM的操作

        作者: 時間:2016-11-13 來源:網絡 收藏
        本程序簡單的示范了如何使用ATMEGA16的EERPOM

        EEPROM的簡介
        EEPROM的寫操作
        EEPROM的讀操作

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201611/316520.htm

        出于簡化程序考慮,各種數據沒有對外輸出,學習時建議使用JTAG ICE硬件仿真器
        在打開調試文件到JTAG后,
        打開Debug -> JTAG ICE Options菜單,
        然后在JTAG ICE Properties中點擊Dbug頁面,將preserve eeprom選項選中。
        在每次仿真調試時候,就保護EEPROM內容了。
        否則,會按照默認設置擦除EEPROM的內容。

        由于定義了EEPROM變量,JTAG調試時會詢問是否初始化EEPROM,請選擇[否]

        EEPROM的數據也可以在view->memory,選Eeprom窗口下察看
        */

        #include <avr/io.h>
        #include
        ////時鐘定為內部1MHz,F_CPU=1000000時鐘頻率對程序的運行沒什么影響
        /*
        GCCAVR(avr-libc)里面自帶了EEPROM的讀寫函數。
        下面列舉部分常用函數(原型)

        #define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)
        檢測EEPROM是否準備好。OK返回1(返回EEWE位)

        #define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())
        等待EEPROM操作完成

        extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);
        讀取指定地址的一個字節8bit的EEPROM數據

        extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);
        讀取指定地址的一個字16bit的EEPROM數據

        extern void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n);
        讀取由指定地址開始的指定長度的EEPROM數據

        extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);
        向指定地址寫入一個字節8bit的EEPROM數據

        extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);
        向指定地址寫入一個字16bit的EEPROM數據

        extern void eeprom_write_block (const void *buf, void *addr, size_t n);
        由指定地址開始寫入指定長度的EEPROM數據

        但不支持部分AVR,原文如下:
        note This library will e not work with the following devices since these
        devices have the EEPROM IO ports at different locations:

        - AT90CAN128
        - ATmega48
        - ATmega88
        - ATmega165
        - ATmega168
        - ATmega169
        - ATmega325
        - ATmega3250
        - ATmega645
        - ATmega6450
        */

        /*
        在程序中對EEPROM操作有兩種方式
        方式一:直接指定EERPOM地址
        即讀寫函數的地址有自己指定,用于需要特定數據排列格式的應用中
        方式二:先定義EEPROM區變量法
        在這種方式下變量在EEPROM存儲器內的具體地址由編譯器自動分配。
        相對方式一,數據在EEPROM中的具體位置是不透明的。
        為EEPROM變量賦的初始值,編譯時被分配到.eeprom段中,
        可用avr-objcopy工具從.elf文件中提取并產生ihex或binary等格式的文件,
        從而可以使用編程器或下載線將其寫入到器件的EEPROM中。
        實際上WINAVR中MFILE生成的MAKEFILE已經為我們做了這一切。
        它會自動生成以 “.eep” 為后綴的文件,通常它是iHex格式
        (這次測試發現 分配地址是從0x0000開始的,故增加了一個EEPROM變量Evalvoid[16])

        如果同時使用方式1和2,請注意防止地址重疊,自己指定的地址應該選在后面。
        */

        //全局變量
        unsigned charEDATA;

        unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,
        0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F};//原始數據

        unsigned char CMPDATA[16];//比較數據

        //仿真時在watch窗口,監控這些全局變量。

        //EEPROM變量定義
        unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //這個沒用到
        unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));

        int main(void)
        {
        eeprom_write_byte (0x40,0xA5);//向EEPROM的0x40地址寫入數據0xA5
        EDATA=eeprom_read_byte (0x40);//讀出,然后看看數據對不對?
        //上面兩句編譯是有如下警告,但不必理會
        //EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte makes pointer from integer without a cast
        //EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte makes pointer from integer without a cast

        eeprom_write_block (&ORGDATA[0], &Eval[0], 16);//塊寫入
        //看看EEPROM數據是否是能失電永久保存,可以注釋上面這句程序(不寫入,只是讀出),然后編譯,燒寫,斷電(一段時間),上電,調試。
        eeprom_read_block (&CMPDATA[0],&Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數據對不對?

        while (1);
        }

        /*
        ATmega16包含512字節的EEPROM數據存儲器。
        它是作為一個獨立的數據空間而存在的,可以按字節讀寫。
        EEPROM的壽命至少為100,000次擦除周期。
        EEPROM的訪問由地址寄存器EEAR、數據寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。
        也可以通過ISP和JTAG及并行電纜來固化EEPROM數據

        EEPROM數據的讀取:
        當EEPROM地址設置好之后,需置位EERE以便將數據讀入EEDR。
        EEPROM數據的讀取需要一條指令,且無需等待。
        讀取EEPROM后CPU要停止4個時鐘周期才可以執行下一條指令。
        注意:用戶在讀取EEPROM時應該檢測EEWE。如果一個寫操作正在進行,就無法讀取EEPROM,也無法改變寄存器EEAR。

        EEPROM數據的寫入:
        1 EEPROM的寫訪問時間(自定時時間,編程時間)
        自定時功能可以讓用戶軟件監測何時可以開始寫下一字節。(可以采用中斷方式)
        經過校準的1MHz片內振蕩器用于EEPROM定時,不倚賴CKSEL熔絲位的設置。
        改變OSCCAL寄存器的值會影響內部RC振蕩器的頻率因而影響寫EEPROM的時間。
        EEPROM自定時時間約為8.5 ms即1MHz片內振蕩器的8448個周期
        注意:這個時間是硬件定時的,數值比較保險,其實真正的寫入時間根本就用不了8.5mS那么長,而且跟電壓有關,但芯片沒有提供其他的檢測編程完成的方法
        這個問題表現在舊版的AT90S系列上面,由于沒有自定時,數值定得太短,ATMEL給人投訴到頭都爆,呵呵!
        參考:《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的
        寫EEPROM定時的改進
        在AT90S8535中寫EEPROM的時間取決于供電電壓,通常為2.5ms@VCC=5V,4ms@VCC=2.7V。
        ATmega8535中寫EEPROM的時間為8448個校準過的RC振蕩器周期(與系統時鐘的時鐘源和頻率無關)。
        假定校準過的RC振蕩器為1.0MHz,則寫時間的典型值為8.4ms,與VCC無關。

        2為了防止無意識的EEPROM寫操作,需要執行一個特定的寫時序
        (如果使用編譯器的自帶函數,無須自己操心)
        寫時序如下(第3步和第4步的次序并不重要):
        1.等待EEWE位變為零
        2.等待SPMCSR中的SPMEN位變為零
        3.將新的EEPROM地址寫入EEAR(可選)
        4.將新的EEPROM數據寫入EEDR(可選)
        5.對EECR寄存器的EEMWE寫"1",同時清零EEWE
        6.在置位EEMWE的4個周期內,置位EEWE
        經過寫訪問時間之后,EEWE硬件清零。
        用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
        EEWE置位后,CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。


        注意:
        1:在CPU寫Flash存儲器的時候不能對EEPROM進行編程。
        在啟動EEPROM寫操作之前軟件必須檢查Flash寫操作是否已經完成
        步驟(2)僅在軟件包含引導程序并允許CPU對Flash進行編程時才有用。
        如果CPU永遠都不會寫Flash,步驟(2)可省略。

        2:如果在步驟5和6之間發生了中斷,寫操作將失敗。
        因為此時EEPROM寫使能操作將超時。
        如果一個操作EEPROM的中斷打斷了另一個EEPROM操作,EEAR或EEDR寄存器可能被修改,引起EEPROM操作失敗。
        建議此時關閉全局中斷標志I。
        經過寫訪問時間之后,EEWE硬件清零。用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
        EEWE置位后,CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。

        在掉電休眠模式下的EEPROM寫操作
        若程序執行掉電指令時EEPROM的寫操作正在進行,EEPROM的寫操作將繼續,并在指定的寫訪問時間之前完成。
        但寫操作結束后,振蕩器還將繼續運行,單片機并非處于完全的掉電模式。因此在執行掉電指令之前應結束EEPROM的寫操作。

        防止EEPROM數據丟失
        電源電壓過低,CPU和EEPROM有可能工作不正常,造成EEPROM數據的毀壞(丟失)。
        **這種情況在使用獨立的EEPROM器件時也會遇到。因而需要使用相同的保護方案。
        由于電壓過低造成EEPROM數據損壞有兩種可能:
        一是電壓低于EEPROM寫操作所需要的最低電壓;
        二是CPU本身已經無法正常工作。
        EEPROM數據損壞的問題可以通過以下方法解決:
        當電壓過低時保持AVR RESET信號為低。
        這可以通過使能芯片的掉電檢測電路BOD來實現。如果BOD電平無法滿足要求則可以使用外部復位電路。
        若寫操作過程當中發生了復位,只要電壓足夠高,寫操作仍將正常結束。
        (EEPROM在2V低壓下也能進行寫操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

        掉電檢測BOD的誤解
        AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路,作用是在電壓過低(低于設定值)時產生復位信號,防止CPU意外動作.
        對EEPROM的保護作用是當電壓過低時保持RESET信號為低,防止CPU意外動作,錯誤修改了EEPROM的內容

        而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預測功能的可以進行軟件處理的功能。
        例如,用戶想在電源掉電時把SRAM數據轉存到EEPROM,可行的方法是
        外接一個在4.5V翻轉的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V),輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)
        一但電壓低于4.5V,馬上觸發中斷,在中斷服務程序中把數據寫到EEPROM中保護起來
        注意:寫一個字節的EEPROM時間長達8mS,所以不能寫入太多數據,電源濾波電容也要選大一些


        關鍵詞: AVR單片機EEPRO

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