stm32 Flash 模擬EEPROM
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*STM32的閃存模塊由：主存儲器、信息塊和閃存存儲器接口寄存器等3部分組成。
* 對于大容量產品 每頁2K字節
* 小容量和中容量產品則每頁只有1K字節
*
*/
/*
*
*閃存的讀取
*內置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，
*任何32位數據的讀操作都能訪問閃存模塊的內容并得到相應的數據。
*這里要特別留意一個閃存等待時間，因為CPU運行速度比FLASH快得多，
*STM32F103的FLASH最快訪問速度≤24Mhz，如果CPU頻率超過這個速度，
*那么必須加入等待時間，比如我們一般使用72Mhz的主頻，那么FLASH等待周期就必須設置為2，
*該設置通過FLASH_ACR寄存器設置。
*例如，我們要從地址addr，讀取一個半字（半字為16為，字為32位），可以通過如下的語句讀取：
*data=*(vu16*)addr;
*將addr強制轉換為vu16指針，然后取該指針所指向的地址的值，
*即得到了addr地址的值。類似的，將上面的vu16該位vu8，即可讀取指定地址的一個字節。
*/
/*
*
*閃存的編程和擦除
*STM32的閃存編程是由FPEC（閃存編程和擦除控制器）模塊處理的，
*這個模塊包含7個32位寄存器，他們分別是：
*FPEC鍵寄存器(FLASH_KEYR)
*選擇字節鍵寄存器(FLASH_OPTKEYR)
*閃存控制寄存器(FLASH_CR)
*閃存狀態寄存器(FLASH_SR)
*閃存地址寄存器(FLASH_AR)
*選擇字節寄存器(FLASH_OBR)
*寫保護寄存器(FLASH_WRPR)
*STM32復位后，FPEC模塊是被保護的，不能寫入FLASH_CR寄存器；
*通過寫入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打開FPEC模塊（即寫入KEY1和KEY2），
*只有在寫保護被解除后，我們才能操作相關寄存器
*STM32閃存的編程每次必須寫入16位（不能單純的寫入8位數據哦?。?/div>
從上圖可以看出，STM32的頁擦除順序為：
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*當FLASH_CR寄存器的PG位為’1’時，在一個閃存地址寫入一個半字將啟動一次編程
*寫入任何非半字的數據，FPEC都會產生總線錯誤。在編程過程中(BSY位為’1’)，
*任何讀寫閃存的操作都會使CPU暫停，直到此次閃存編程結束
*同樣，STM32的FLASH在編程的時候，也必須要求其寫入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必須是0XFFFF），
*否則無法寫入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位將得到一個警告
*檢查FLASH_CR的LOCK是否解鎖，如果沒有則先解鎖
*檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的編程操作
*設置FLASH_CR寄存器的PG位為’1’
*在指定的地址寫入要編程的半字
*等待BSY位變為’0’
*讀出寫入的地址并驗證數據
*前面提到，我們在STM32的FLASH編程的時候，要先判斷縮寫地址是否被擦除了，
*所以，我們有必要再紹一下STM32的閃存擦除，STM32的閃存擦除分為兩種：頁擦除和整片擦除。頁擦除過程如圖39.1.3所示
*STM32的頁擦除順序為：
*檢查FLASH_CR的LOCK是否解鎖，如果沒有則先解鎖
*檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的閃存操作
*設置FLASH_CR寄存器的PER位為’1’
*用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁
*設置FLASH_CR寄存器的STRT位為’1’
*等待BSY位變為’0’
*讀出被擦除的頁并做驗證
*/
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
void FlashEEpromInitial(void)
{
FLASH_Unlock(); //解鎖
FLASH_ErasePage(0x807F000);// 倒數第二頁
FLASH_ProgramHalfWord(0x807F000,0x000C);
FLASH_Lock();
}
關于頁擦除的地址問題：stm32 閃存編程手冊里面是這樣說的，
只要是這個頁范圍的內的地址，就會自動擦除這個頁，不一定要是起始地址或者結束地址
For Page Erase operations, this
should be updated by software to indicate the chosen page
void FlashReadInitial(void)
{
uint16_t readData=0;
//FLASH_Unlock(); //解鎖
while(USART_GetFlagStatus(USART1,USART_FLAG_TC)== RESET); // 發送收到的數據
USART_SendData(USART1,0x0A);
readData=*(uint16_t*)0x807F000;
while(USART_GetFlagStatus(USART1,USART_FLAG_TC)== RESET); // 發送收到的數據
USART_SendData(USART1,readData);
}
正點原子的一篇文章：
第三十九章 FLASH模擬EEPROM實驗
STM32本身沒有自帶EEPROM，但是STM32具有IAP（在應用編程）功能，所以我們可以把它的FLASH當成EEPROM來使用。本章，我們將利用STM32內部的FLASH來實現第二十八章類似的效果，不過這次我們是將數據直接存放在STM32內部，而不是存放在W25Q64。本章分為如下幾個部分：
39.1 STM32 FLASH簡介
39.2 硬件設計
39.3 軟件設計
39.4 下載驗證
39.1 STM32 FLASH簡介
不同型號的STM32，其FLASH容量也有所不同，最小的只有16K字節，最大的則達到了1024K字節。戰艦STM32開發板選擇的STM32F103ZET6的FLASH容量為512K字節，屬于大容量產品（另外還有中容量和小容量產品），大容量產品的閃存模塊組織如圖39.1.1所示：
STM32的閃存模塊由：主存儲器、信息塊和閃存存儲器接口寄存器等3部分組成。
主存儲器，該部分用來存放代碼和數據常數（如const類型的數據）。對于大容量產品，其被劃分為256頁，每頁2K字節。注意，小容量和中容量產品則每頁只有1K字節。從上圖可以看出主存儲器的起始地址就是0X08000000， B0、B1都接GND的時候，就是從0X08000000開始運行代碼的。
信息塊，該部分分為2個小部分，其中啟動程序代碼，是用來存儲ST自帶的啟動程序，用于串口下載代碼，當B0接V3.3，B1接GND的時候，運行的就是這部分代碼。用戶選擇字節，則一般用于配置寫保護、讀保護等功能，本章不作介紹。
閃存存儲器接口寄存器，該部分用于控制閃存讀寫等，是整個閃存模塊的控制機構。
對主存儲器和信息塊的寫入由內嵌的閃存編程/擦除控制器(FPEC)管理；編程與擦除的高電壓由內部產生。
在執行閃存寫操作時，任何對閃存的讀操作都會鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進行；既在進行寫或擦除操作時，不能進行代碼或數據的讀取操作。
閃存的讀取
內置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，任何32位數據的讀操作都能訪問閃存模塊的內容并得到相應的數據。讀接口在閃存端包含一個讀控制器，還包含一個AHB接口與CPU銜接。這個接口的主要工作是產生讀閃存的控制信號并預取CPU要求的指令塊，預取指令塊僅用于在I-Code總線上的取指操作，數據常量是通過D-Code總線訪問的。這兩條總線的訪問目標是相同的閃存模塊，訪問D-Code將比預取指令優先級高。
這里要特別留意一個閃存等待時間，因為CPU運行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快訪問速度≤24Mhz，如果CPU頻率超過這個速度，那么必須加入等待時間，比如我們一般使用72Mhz的主頻，那么FLASH等待周期就必須設置為2，該設置通過FLASH_ACR寄存器設置。
例如，我們要從地址addr，讀取一個半字（半字為16為，字為32位），可以通過如下的語句讀?。?/div>
data=*(vu16*)addr;
將addr強制轉換為vu16指針，然后取該指針所指向的地址的值，即得到了addr地址的值。類似的，將上面的vu16該位vu8，即可讀取指定地址的一個字節。相對FLASH讀取來說，STM32 FLASH的寫就復雜一點了，下面我們介紹STM32閃存的編程和擦除。
閃存的編程和擦除
STM32的閃存編程是由FPEC（閃存編程和擦除控制器）模塊處理的，這個模塊包含7個32位寄存器，他們分別是：
l FPEC鍵寄存器(FLASH_KEYR)
l 選擇字節鍵寄存器(FLASH_OPTKEYR)
l 閃存控制寄存器(FLASH_CR)
l 閃存狀態寄存器(FLASH_SR)
l 閃存地址寄存器(FLASH_AR)
l 選擇字節寄存器(FLASH_OBR)
l 寫保護寄存器(FLASH_WRPR)
其中FPEC鍵寄存器總共有3個鍵值：
RDPRT鍵=0X000000A5
KEY1=0X45670123
KEY2=0XCDEF89AB
STM32復位后，FPEC模塊是被保護的，不能寫入FLASH_CR寄存器；通過寫入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打開FPEC模塊（即寫入KEY1和KEY2），只有在寫保護被解除后，我們才能操作相關寄存器。
STM32閃存的編程每次必須寫入16位（不能單純的寫入8位數據哦?。?，當FLASH_CR寄存器的PG位為’1’時，在一個閃存地址寫入一個半字將啟動一次編程；寫入任何非半字的數據，FPEC都會產生總線錯誤。在編程過程中(BSY位為’1’)，任何讀寫閃存的操作都會使CPU暫停，直到此次閃存編程結束。
同樣，STM32的FLASH在編程的時候，也必須要求其寫入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必須是0XFFFF），否則無法寫入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位將得到一個警告。
STM23的FLASH編程過程如圖39.1.2所示：
從上圖可以得到閃存的編程順序如下：
l 檢查FLASH_CR的LOCK是否解鎖，如果沒有則先解鎖
l 檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的編程操作
l 設置FLASH_CR寄存器的PG位為’1’
l 在指定的地址寫入要編程的半字
l 等待BSY位變為’0’
l 讀出寫入的地址并驗證數據
前面提到，我們在STM32的FLASH編程的時候，要先判斷縮寫地址是否被擦除了，所以，我們有必要再紹一下STM32的閃存擦除，STM32的閃存擦除分為兩種：頁擦除和整片擦除。頁擦除過程如圖39.1.3所示
從上圖可以看出，STM32的頁擦除順序為：
l 檢查FLASH_CR的LOCK是否解鎖，如果沒有則先解鎖
l 檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的閃存操作
l 設置FLASH_CR寄存器的PER位為’1’
l 用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁
l 設置FLASH_CR寄存器的STRT位為’1’
l 等待BSY位變為’0’
l 讀出被擦除的頁并做驗證
本章，我們只用到了STM32的頁擦除功能，整片擦除功能我們在這里就不介紹了。通過以上了解，我們基本上知道了STM32閃存的讀寫所要執行的步驟了，接下來，我們看看與讀寫相關的寄存器說明。
第一個介紹的是FPEC鍵寄存器：FLASH_KEYR。該寄存器各位描述如圖39.1.4所示：
關鍵詞：
stm32Flash模擬EEPRO
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