CMOS電路中ESD保護結構的設計原理與要求 作者： 時間：2016-09-12 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 4 結束語ESD保護設計隨著CMOS工藝水平的提高而越來越困難，ESD保護已經不單是輸入腳或輸出腳的ESD保護設計問題，而是全芯片的靜電防護問題。芯片里每一個I/O電路中都需要建立相應的ESD保護電路，此外還要從整個芯片全盤考慮，采用整片(whole-chip)防護結構是一個好的選擇，也能節省I/OPAD上ESD元件的面積。 上一頁 1 2 下一頁
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