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        SDRAM連接電路設(shè)計(jì)詳解

        作者: 時(shí)間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        介紹之前先了解下的尋址原理。內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列,可以把它想象成一個(gè)表格,和表格的檢索原理一樣,先指定行,再指定列,就可以準(zhǔn)確找到所需要的存儲(chǔ)單元,這是內(nèi)存芯片尋址的基本原理,這個(gè)表格稱為邏輯Bank。由于技術(shù)、成本等原因,不可能只做一個(gè)全容量的Bank,而且由于SDRAM工作原理限制,單一的Bank會(huì)造成非常嚴(yán)重的尋址沖突,大幅降低內(nèi)存效率,所以在SDRAM內(nèi)部分割成多個(gè)Bank,目前的SDRAM基本都是4個(gè)Bank。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201609/303649.htm

        圖2是S3C2440A手冊(cè)提供的SDRAM bank地址的配置方案,維護(hù)系統(tǒng)使用的SDRAM是HY57V561620FTP-H,它的規(guī)格是4*4M*16bit(使用兩片是為了配置成32位的總線寬度),BANK大小是4M*16=64MB,總線寬度是32位,器件大小是4*BANK大小=256Mb,寄存器配置就是(4M*16*4B)*2,根據(jù)圖2可知,SDRAM上的BANK地址引腳BA[1:0]與S3C2440的A相連。

        圖3是寄存器控制地址總線連接方式,我們使用2片SDRAM配置成32位的總線寬度,所以SDRAM上的A[12:0]接到S3C2440的A[14:2]引腳。具體的SDRAM電路連接如圖4所示:

        SDRAM的地址引腳是復(fù)用的,在讀寫SDRAM存儲(chǔ)單元時(shí),操作過程是將讀寫地址分兩次輸入到芯片中,每一次由同一組地址線送入,兩次送入到芯片上去的地址分別稱為行地址和列地址,它們被鎖存到芯片內(nèi)部的行地址鎖存器和列地址鎖存器。



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