瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)相關(guān)參數(shù)定義與解釋

　　在87V 的ISO-7637-2測(cè)試對(duì)13.5V電池，0.75Ω Ri和400ms脈沖寬度條件下，Vishay的SM5S24A的電流和電壓波形，如圖7A所示。

　　圖7A：在ISO 7637-2測(cè)試中SM5S24A的鉗位電壓和電流 圖7B：在ISO7637-2測(cè)試中甩負(fù)荷TVS失效情況下的鉗位電壓和電流

　　在圖7B中，在87V的ISO-7637-2測(cè)試對(duì)13.5V電池，0.5Ω Ri和400ms脈沖寬度條件下，甩負(fù)荷TVS的鉗位電壓和電流失效，因?yàn)槠骷纳⑦^(guò)大。鉗位電壓降到接近0V，流過(guò)器件的電流達(dá)到線路阻抗隨能允許的最大值。

　　在ISO-7637-2 pulse 5規(guī)定的13.5V Vbatt和400ms脈沖寬度的測(cè)試條件下，Vishay甩負(fù)荷TVS的最大鉗位能力如圖7C所示。為防止出現(xiàn)圖7B中的失效情況，要非常重視TVS的最大等級(jí)。

　　針對(duì)負(fù)電壓瞬態(tài)和反向電源電壓的保護(hù)

　　用于汽車(chē)電子初次保護(hù)的甩負(fù)荷TVS有兩類(lèi)：外延型和非外延型。在反向偏置模式下，這兩個(gè)產(chǎn)品組有相近的工作擊穿特性。不同之處在于，外延性TVS在正向模式下具有低正向壓降（VF）特性，非外延型TVS在同樣條件下的VF相對(duì)高一些。這個(gè)特性對(duì)連到電源線上的負(fù)電壓源很重要。大多數(shù)CMOS IC和LSI在反向電壓特性都非常差。

　　MOSFET的柵極在-1V或更低的反向電壓下也很脆弱。在反向電源輸入模式中，電源線的電壓域TVS VF的電壓相同。這種反向偏置模式會(huì)引起電子線路的故障。EPI PAR TVS的低正向壓降能夠很好地解決這個(gè)問(wèn)題。保護(hù)電路免受反向電源輸入損害的另一個(gè)方法是在電源線中放一個(gè)極性保護(hù)整流器，如圖8所示。極性保護(hù)整流器應(yīng)該有足夠的正向電流等級(jí)，以及正向浪涌和反向電壓性能。

　　對(duì)汽車(chē)電源線進(jìn)行二次保護(hù)

　　汽車(chē)系統(tǒng)中保護(hù)電路的首要目標(biāo)是高浪涌電壓，但是被鉗位的電壓仍然很高。因此在24V動(dòng)力總成中二次保護(hù)特別重要，比如卡車(chē)和小貨車(chē)?yán)锏膭?dòng)力總成。主要原因是大多數(shù)穩(wěn)壓器和DC-DC轉(zhuǎn)換器IC的輸入電壓是45V~60V。對(duì)于此類(lèi)應(yīng)用，建議使用使用圖9中的二次保護(hù)。