三毫米單片集成電路噪聲系數測量技術
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3 測量結果分析
3．1 測量數據
測量我所研制的PHEMT電路裸片16個，圖5給出其中之一的實測噪聲系數和增益曲線，偏置條件為Vds=1．0 V，Ids=22 mA。本文引用地址：http://www.104case.com/article/195643.htm
3．2 測量不確定度的分析
噪聲系數測量不確定度不僅取決于噪聲系數分析儀的準確度，而且與被測件的噪聲系數和增益的大小有關，如圖6所示。
同時考慮失配的因素，采用如下計算公式：
式中：
根據上述公式，以94 GHz MMIC放大器為例，計算UB。
噪聲系數NF1(dB)=3．43 dB，F1=2．203，
增益G1(dB)=13．46(dB)，G1=22．182，
3 mm接收機噪聲系數NF2(dB)=4．85 dB，F2=3．054 9，
駐波比為1．12，ρ=0．056 6，
噪聲源輸出駐波比為1．13，ρ=0．061 0，
F12=F1十(F2-1)／G1=3．608 9。
計算下述各量：
從噪聲系數分析儀技術指標可知：δNF=0．1 dB，δG=0．15 dB。
根據失配不確定度公式：±20log(1+ρsρl)計算出各失配不確定度：
根據式(7)計算出噪聲系數測量不確定度為0．28 dB。
4 結束語
本文只介紹了92～97 GHz頻率范圍的低噪聲單片集成電路裸片噪聲系數的測量，實際上本系統可以用于75～110 GHz頻率范圍內的噪聲系數的測量。目前正在本系統上做3 mm噪聲源校準技術的研究。
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