睡覺晶體介紹及其與DLD的關(guān)系
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H.晶體DLD的γ比值
當(dāng)我們隨機(jī)抽測晶體時(shí)，我們是否可測試到晶體目前的狀態(tài)是怎樣的?是“睡眠”，是“蘇醒”，還是“半睡，半醒”呢?又或者，有沒有某些測試方法可更有效，可靠地檢測睡覺晶體? 要回答這些問題實(shí)在不容易
以求解決問題，一些晶體工程師嘗試設(shè)計(jì)了一個(gè)方法:測試晶體于不同的激勵(lì)電平的電阻之比例，而非電阻變化的絕對(duì)值。
這種測量的方法是比較晶體的電阻比例和晶體的頻率比例，關(guān)系是:
γ12 = (第一次測試的等值串聯(lián)電阻/第二次測試的等值串聯(lián)電阻)令設(shè)定限度
γ13 = (第一次測試的等值串聯(lián)電阻/第三次測試的等值串聯(lián)電阻)令設(shè)定限度
(第一次測試的Fr一第二次測試的Fr ) 設(shè)定限度
(第一次測試的Fr一第三次測試的Fr ) 設(shè)定限度
亦有一些工程師修改了上述的方法，采用了在最大、最小激勵(lì)電平之間，多個(gè)測試點(diǎn)的晶體電阻和頻率的變化比。
詳情請參看國際電工委員會(huì)IEC 444-6號(hào)文件。
這類方法至今仍在晶體行業(yè)中試用，研究及討論，但至今仍米有定論到底那一種規(guī)格/方法是最終以及最好。
更復(fù)雜的是軍)Il及民)Il晶體對(duì)品質(zhì)及成本的要求都不一樣，較難厘定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。
KH1200兀網(wǎng)絡(luò)測試系統(tǒng)可以提供一個(gè)比較方便的)Il戶界面，給晶體工程師提供研究這些方法的手段。
I．“睡覺”晶體的定義——“睡覺”和DLD的關(guān)系
民用晶體的頻率和電阻隨激勵(lì)的變化而變化是避免不了的。有些比較小，比如小于1歐姆;有些變化則較大，比如:幾百、幾千歐姆，甚至乎在專用的晶體測量儀器上都不振蕩或是不穩(wěn)定“Unstable。
究竟不好DLD的晶體會(huì)否“睡覺”呢?又或DLD有多差勁才會(huì)“睡覺”呢?還是，其它……？
粗略而言，“睡覺”晶體可定義為晶體有不重復(fù)的DLD特性而又在應(yīng)用的振蕩線路內(nèi)不能工作于:
振蕩線路正常工作時(shí)的激勵(lì)電平，或低于正常工作的激勵(lì)電平五至十倍的電平。
這個(gè)定義，在原理上是對(duì)的，但較依賴每一應(yīng)用線路，故較難令所有晶體用戶明自。
遺憾的是在晶體行業(yè)，仍未有對(duì)睡覺晶體一個(gè)清楚的定義。作為晶體測量儀器的制造商，科研公司將盡力提供好的儀器助您分析問題。KH-1200兀網(wǎng)絡(luò)測試系統(tǒng)釗一對(duì)DLD問題采111了最好測量算法，以助這類問題的解決。
J．晶體的測量
基于上述對(duì)晶體DLD的不可重復(fù)特性的分析討論，在測試晶體時(shí)，應(yīng)注意以下的問題:
a. DLD的測試:
為了消除測量儀器誤差帶來的影響:
不要測試DLD-dFL＞或DLD-dRL…等等。
晶體低于100 MHz時(shí)，測試DLD-d
Fr，和DLD-dRr，和
晶體高于100 MHz或以上時(shí)，測試DLD-dFs，和DLD-dRs
b. 復(fù)測以檢驗(yàn)測試結(jié)果(包括所有其它參數(shù)):
當(dāng)重新再次測量晶體的結(jié)果來復(fù)檢，請留意晶體在第一次測試時(shí)，可能己被激活。最好將晶體放幾天再重新測試。
C 不良品分析:
當(dāng)進(jìn)行不良品分析時(shí)，應(yīng)注意“老化率”差的晶體其參數(shù)也會(huì)隨時(shí)間的變化而變化。但是，“老化率”不好的晶體，是不會(huì)有被外界作用而激活的現(xiàn)象。有些晶體可能不好的原因可能有兩種情況:一是老化性能差;一是晶體DLD性能差。
d. Fs穩(wěn)定”，F(xiàn)L不穩(wěn)定”的晶體:
有些晶體當(dāng)測試FL時(shí)，Unstable，但是，當(dāng)測試Fs或Fr時(shí)，有能夠穩(wěn)定振蕩。這類情況大都是晶體的DLD問題。當(dāng)遇到這類問題，可用KH1200的DLD圖形掃描功能，便可得到這類晶體的DLD特性(注意以上的b點(diǎn))。本文引用地址：http://www.104case.com/article/194473.htm
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