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	 > 測試測量 > 設計應用 > 微波暗箱反射率電平分析與測量
        
    
        

        

        


	
	
	

        
	
        
		
        
			
        微波暗箱反射率電平分析與測量
        
						
        
				作者：
				時間：2012-07-26
				來源：網絡
				
				
				
				
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        （3） 描繪駐波曲線的包絡，由包絡線的極大極小值求出Δab，并求出它的平均電平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天線的方向圖電平。如圖（6）：
        （4） 在不同的角上，重復（2）、（3）步驟，就能求出一系列空間駐波曲線，再由駐波曲線的包絡來求出Δab值，在ED＞ER的情況下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED＞ER，則需按下式計算反射率電平：
        由于ED隨天線的移動有規律的變化，ER無規律的變化，在某取向角，如果實測空間駐波曲線的平均值出現無規律變化時，就能判定ER＞ED，或者在這個取向角上，假定駐波曲線的平均電平比在這個取向角上方向圖的電平高，也能判定ER＞ED。
        6 建立小圓柱型微波暗箱的測試系統與測試步驟
        （1）測試裝置的建立
        微波暗箱反射率電平的測試系統主要由發射信號源（69347B）、接收機（MS2667C頻譜分析儀）、計算機及接收天線和測試支架組成，見框圖（7）。其中信號源為發射天線輸出一個微波直射信號，由頻譜分析儀接收來自各方向的反射及直射信號，并由計算機讀出后描繪出一個空間駐波曲線，并計算出反射率電平。天線支架用來控制測試天線的上下、左右直線移動及轉角姿態的變化動作。為了能比較準確地描繪出空間行程駐波曲線，天線移動的行程距離必須大于等于兩個波長。最后通過改變接收天線取向角以獲得若干條駐波曲線，從而達到測試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。
        （2）測試過程
        依據VSWR法的特點，我們將接收天線安裝在測試支架上，使天線處于暗箱中心軸線上，并距離后壁尖劈為15cm處，分別改變天線與中心軸的夾角來進行反射率電平的測試。
        （3）天線測試狀態的確定
        這里我們僅選擇垂直極化狀態進行測試，其次考慮到被測箱體的限制，在測試位置上僅選取一點，即接收天線距離后壁尖劈為15cm處，俯仰角為±20°，±35°時，接收天線上下移動2-4個波長。由于暗箱為圓柱體，因此可通過轉動暗箱來實現對暗箱內壁任意一點反射性能的測試，而暗箱后壁的反射性能受測試條件的局限而無法進行測量，故暫不考慮。
        （4）Z向（垂直向）的測試
        Z向的測試是接收天線離后壁尖劈15cm處，以箱體軸線作垂直向的上下移動，其上下移動的高度為±3λ（±9cm），天線的取向角為±20°，±35°，在這些點上測出若干條干涉曲線。垂直向的測試主要是測量暗箱上下尖劈對電磁波的反射情況。
        在0°時，接收天線所獲取的曲線（數值）為Z向場幅度的均勻性。通過由頻譜儀測得的曲線，求出其最大電平變化值（Δab），及曲線的平均值（Ai）以得到天線在該取向角θ時的方向圖電平值。
        （5）將微波暗箱旋轉至所需要的角度φi，重復（3）、（4）步驟，測出暗箱其余內壁的反射率電平。以下是我們對802所編號為6CH-6W2的暗箱采用以上方法進行測試，測試數據如下：
        表（1）：接收天線作上下移動時電平的變化值測試頻率：10.125GHz，接收天線距離暗箱中心軸5cm處定義為移動的起始位置，接收天線分別取俯仰角+20°、-20°。
        本文引用地址：http://www.104case.com/article/193519.htm
        移動距離（mm）
        仰角+20°時電平的變化（dB）
        俯角-20°時電平的變化（dB）
        0
        61.09
        61.24
        2
        61.08
        61.22
        4
        61.08
        61.17
        6
        61.04
        61.17
        8
        60.98
        61.12
        10
        60.96
        61.08
        12
        60.95
        61.06
        14
        60.91
        61.04
        16
        60.96
        61.03
        18
        60.97
        61.03
        20
        60.97
        61.03
        22
        61.00
        61.04
        24
        61.00
        61.10
        26
        60.98
        61.15
        28
        60.99
        61.17
        30
        60.96
        61.19
        32
        60.94
        61.28
        34
        60.89
        61.37
        36
        60.88
        61.31
        38
        60.86
        61.42
        40
        60.86
        61.47
        42
        60.83
        61.53
        46
        60.80
        61.58
        48
        60.74
        61.63
        50
        60.71
        61.65
        52
        60.66
        61.72
        54
        60.90
        61.74
        56
        60.89
        61.74
        58
        60.79
        61.74
        60
        60.46
        61.69
        62
        60.45
        61.67
        64
        60.73
        61.63
        66
        60.72
        61.58
        表（2）：不同取向角時的總的反射率電平
        方位角
        +20°
        -20°
        方向圖電平值A(dB)
        10
        10
        最大電平變化值Δ（dB）
        0.64
        0.62
        總的反射率電平值R（dB）
        -38.7
        -39.0
        方位角+20°-20°方向圖電平值A(dB)1010最大電平變化值Δ（dB）0.640.62總的反射率電平值R（dB）-38.7-39.0
        從以上測試數據中可以看出，被測小圓柱型微波暗箱在所選頻率上用以上方法測量其反射率電平均優于設計所要求的-30dB的技術指標。
        參考文獻：
        ［1］ 汪茂光. 幾何繞射原理. 西安: 西北電訊工程學院出版社, 1985.
        ［2］ 江賢祚. 天線原理. 北京: 北京航空航天大學出版社,1993.
        ［3］ 毛乃宏. 天線測量手冊. 北京: 國防工業出版社,1987.
				
            
                
			
								
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            			            暗箱
                        反射
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