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        使運(yùn)算放大器的噪聲性能與ADC相匹配

        作者: 時(shí)間:2010-04-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        圖3將噪聲分為兩部分。在區(qū)域e1中,通過(guò)放大器電路的dc增益,我們得到了值為+1V/V的放大器1/f噪聲。放大器噪聲的這些規(guī)范為幾納伏/赫茲平方根。因此,只有當(dāng)將那個(gè)區(qū)域的帶寬平方根乘以這個(gè)區(qū)域的平均噪聲時(shí),該分析才算完成。就CMOS放大器而言,1/f區(qū)域通常為從0.1Hz至100 Hz,甚至可以高達(dá)1000Hz。由于這一噪聲值被帶寬平方根相乘,因此其產(chǎn)生的噪聲較低。在區(qū)域e2中,放大器的寬帶噪聲被放大器電路增益(還是 +1 V/V)和帶寬平方根相乘。

        典型的RTI噪聲評(píng)估


        圖3 典型的RTI噪聲評(píng)估

        每一個(gè)區(qū)域都會(huì)對(duì)整個(gè)電路噪聲產(chǎn)生影響:

        放大器輸出端的總體噪聲為:

        利用這一計(jì)算,放大器輸出端的1/f噪聲SNR為:

        利用TI的SPICE仿真工具TINA-TITM,我們可以驗(yàn)證這一噪聲計(jì)算的正確性。請(qǐng)登錄 www.ti.com.cn/amplifier 查找該工具。



        RTI噪聲和RTO噪聲密度的圖形表示

        圖4中的兩個(gè)曲線圖展示了TINA-TI如何幫助我們了解電路中的噪聲。圖4 (a) 顯示了一個(gè)放大器的仿真噪聲響應(yīng)。圖4 (b) 顯示了頻率增加時(shí)的累積噪聲。需要注意的是,在圖4 (b) 中,該噪聲在較低頻率下時(shí)非常低,這是因?yàn)椋^低帶寬被一個(gè)小數(shù)(即帶寬)的平方根相乘。當(dāng)頻率增加時(shí),累積噪聲也隨之增加。有人會(huì)認(rèn)為,由于圖4 (a) 的特點(diǎn),在較高頻率下噪聲的增加會(huì)更少。正如我們所看到的一樣,并非如此,因?yàn)閹挸朔ㄆ鳎◣挼钠椒礁┰诟哳l時(shí)更大。



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