高性能寬帶低噪聲放大器的研制
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再次，需要對放大器進行寬帶內的設計。從本質上講，寬帶低噪聲放大器的設計就是要求在一個相對較寬的頻率范圍內，保持放大器的增益不變。為此，應適當地設計匹配網絡或者反饋網絡，在保持最佳噪聲系數的情況下補償|S21|隨頻率的變化。一般來講，設計寬帶低噪聲放大器有兩種通用技術：補償匹配網絡及運用負反饋電路。在平衡電路中，噪聲通常是按最佳噪聲來設計的。但是，由于按最佳噪聲設計往往以犧牲增益為前提，而如果按最大增益設計，往往噪聲性能又將惡化。所以，為了二者兼顧，折衷考慮。按最佳噪聲設計出的放大器帶寬往往是很窄的，所以在做寬帶匹配電路時，輸入、輸出端往往是失配的。本文的設計思路是：采用補償匹配網絡與負反饋電路相結合的技術，利用平衡電橋來獲得最佳輸入和輸出VSWR；利用負反饋來補償隨頻率變化的|S21|，提高系統的穩定性。二者結合最終達到所需要的設計目標。
最后，將對上述的低噪聲晶體管，利用ADS進行仿真設計成一個單片，并保證良好的輸入／輸出比、低的噪聲系數、高的增益，并把設計好的單片作為放大器的第一級。在這個前提下，再進行級聯，而且，級聯的第二級也需要保證設計的噪聲系數小。由于總增益在32 dB以上，根據晶體管的S參數，兩級增益達不到要求，因此，需要三級級聯。最后一級，要有高的增益特性和良好的線性度。這樣，放大器的增益特性、噪聲特性、輸入／輸出特性，功率特性等都可以保證實現。
1．4．2 整體仿真
采用精細陶瓷基片，介電常數εr=9．8。選取富士通FHX系列，利用ADS進行仿真，電路原理圖如圖5所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/187445.htm
三級級聯后，仿真結果如圖6所示。
根據指標要求，整個電路的噪聲小于1．6 dB，輸入輸出駐波比小于1．7，增益在35～37．1 dB之間。設計滿足指標要求。
2 裝配和測試結果
2．1 裝配和調試
各單片加工完成之后，采用共晶工藝進行焊接，并利用導電膠將芯片粘接在底部基片上。共晶工藝具有機械強度高、熱阻小、穩定性好、可靠性高等一系列的優點，是目前國際上比較先進的工藝。導電膠粘接技術工藝性好、固化容易、固化物致密、粘接力強。由于其耐熱
性有限，因此導電膠的固化溫度和固化時間的長短對粘接強度影響較大。一般采用合適的溫度和時間來固化達到較理想的效果。
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