基于DDS的寬帶頻率合成器的設計方案

　　1.3 電路板總體設計

　　在寬帶頻率合成器系統中既有數字電路又有射頻模擬電路，所以電磁兼容性是電路板設計中著重考慮的問題：

圖4 HMC520 IR混頻器載波抑制曲線

　　在取中頻的混頻器輸出中，Lo和RF信號都遠離IF,即使漏過來也可以濾掉，只有多次諧波的混頻輸出有可能落入帶內。所選混頻器型號為HMC553,其多次諧波輸出情況如圖5所示。有可能落入帶內的只有2×2次諧波混頻輸出，從圖5可知，其相對于中頻輸出的功率電平值是-62dBc,因此不影響雜波指標。由此判斷，該方案對滿足雜波抑制≥40dB的指標是可行的。

圖5HMC553混頻器M×N次諧波輸出

　2.2 相位噪聲指標估計

　　已選DDS的相噪指標為：輸出為400MHz時，-125dBc/Hz@1kHzOffset,已選鑒頻鑒相器的相噪指標與DDS輸出信號的相噪指標相當，當100MHz參考頻率時，能實現的最好相噪指標是-153dBc/Hz@10kHzOffset;已選晶振的相噪指標優于-152dBc/Hz@1kHzOffset;因為所有本振都為分頻鎖相，最大分頻比是130,相噪指標要惡化：

　　20log（130）≈42dB

　　減去42dB,本振輸出信號的相噪還有110dB左右；這樣，即使后面還有一次2倍頻，惡化6dB,雷達頻綜電路對實現最終輸出信號的相噪指標還是可行的。

　　3 測試結果

　　根據以上的設計方案，現已研制出樣機。經Agilent公司的頻譜儀E4407B測試，得知該頻率合成器的性能參數主要有：

　　輸出頻率范圍：2~8GHz.

　　相位噪聲：Q-75dBc/Hz@10kHz.

　　分辨率：100kHz.