晶體管低頻放大器詳述

各種類型低頻放大器，主要特點是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于小信號放大器。

1、分類

由于放大器的用途十分廣泛，為了適用不同領域要求，其種類甚多，表5.2-1為放大器分類表。

表5.2-1 放大器分類表

2、主要性能參數

在分析放大器性能時，通常把具體放大畫成等效方框圖，如圖5.2-1所示。放大器性能參數示于表5.2-2。

圖5.2-1 放大器等效方框圖

表5.-2-2 放大器性能參數

3、偏置穩定電路

晶體管放大器的線性放大特性與靜態工作點的位置及其穩定性有密切關系，而靜態工作點又是由偏置電路決定的，所以穩定偏置電路是放大器的重要方面，當溫度等外界因素變化時，嚴格地講，幾乎所有的晶體管參數都要發生變化，特別是對電流放大系數B、集基極反向飽和電流ICBO及基--射極門限電壓UBEO的影響更為顯著。這三個參數隨著溫度的變化稱為溫度漂移，即分別是B的溫度漂移、ICBO的溫度漂移和UBEO的溫度漂移，詳細分析見參考文獻（5）。溫度漂移最終表現在IC的變化上，因此穩偏置電路應使IC保持不變，穩定的原理常采用負反饋原理和補償原理。表5.2-3示出常用的幾種偏置電路。

4、基本分析方法

晶體管低頻小信號放大器是在晶體三極管各電極靜態工作電壓、電流正確設置的基礎上，實現對輸入信號的線性放大。因此對放大器分析分為兩方面，一是直流分析，就是根據電子器件和電路元件參數，求出放大器的直流電壓和電流，即輸入端直流電流IBQ（輸入直流電壓VBEQ通常視為數一硅管為0.7V，鍺管約為0.2V）和輸出端直流電壓UCEQ、直流電流ICQ，這三個量對應輸出特性曲線上一個點稱為直流（或靜態）工作點；另一是交流分析（或稱動態分析），即在輸入信號作用下求出靜態工作點上迭加的各極信號電壓和電流，并在此基礎上計算放大性能指示。

（1）直流分析 由于晶體管是非線性器件，精確地進行直流分析是比較復雜的。目前工程上多采用圖解法和近似估算法，兩種方法都建立在確定放大器直流道路的基本上，以下簡要的說明近似估算法（圖解法略）。

在近似估算時，常把晶體管的UBE近似看成已知的常數，如果已知晶體管的B、ICBO和電路的元件參數，則根據放大器的直流通路和晶體管的直流電流傳輸方程，可以估算出放大器的靜態工作點。圖5.2-3示出固定偏置共發放大器的直流通路。