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        RFID晶片技術(shù)突破 1W功率可讀寫8米距離

        作者:歐敏銓 時(shí)間:2004-09-27 來(lái)源:CTIMES 收藏

        Impinj公司在日本“第6屆自動(dòng)識(shí)別綜合展”首次展出長(zhǎng)距離的標(biāo)簽晶片,在耗電量1W的情況下,最遠(yuǎn)可對(duì)8公尺以外的標(biāo)簽進(jìn)行逐一區(qū)分并寫入資訊。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/182570.htm

        目前,關(guān)於日本總務(wù)省將如何開放950MHz頻帶,情況尚不明朗,Impinj 指出,即使規(guī)定耗電量需在0.1W以下(假定使用平面天線時(shí)的電力密度與距離的平方成反比),那也可以達(dá)到2.5m,對(duì)於實(shí)用而言已經(jīng)足夠了。

        此外,此晶片大小只有0.77mm2,但不僅可以讀取還可以寫入,讀取和寫入時(shí)的電壓均只需1V電壓。

        此晶片是采用0.25μm CMOS制程生,配備記憶容量288bit的非揮發(fā)性記憶體。該標(biāo)簽符合EPCglobal(原名Auto-ID Center)制定的標(biāo)簽標(biāo)準(zhǔn)“EPC(Electronic Product Code)Class 0”。

        本文由 CTIMES 同意轉(zhuǎn)載,原文鏈接:http://www.ctimes.com.tw/DispCols/cn/RFID/%E6%97%A0%E7%BA%BF%E9%80%9A%E4%BF%A1%E6%94%B6%E5%8F%91%E5%99%A8/0409271430JT.shtmll



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