3500W與6000W高檔開關電源的剖析(1)

關鍵詞：功率因數校正；Buck?Boost變換器；分段式控制

引言

在2001年7月，有位電源技術愛好者送來了兩種據稱是“軍用絕密級”的高檔電源各2臺，希望我能作專題解剖，深入分析，以消化吸收其先進技術。

圖8

該電源鐵殼上的銘牌標明，是IBM公司的“Bulk”大型艦船專用電源。

一種是直流輸出48V/70A的長型通信電源，

長寬高=70cm22cm12cm，重量約14kg。

電網輸入三相380～415V（電流13A），也可降低輸入200～240V（電流24A），頻率50～60Hz。這種電源裝有電風扇強迫風冷，還在外殼上安裝了一只三相高壓大開關。電網輸入先經大屏蔽盒濾波。

另一種是直流輸出350V/10A的短型特種電源，長寬高=40cm30cm8cm，重約10kg，無強迫風冷，散熱器也較短。其鐵殼上銘牌標明為電網三相輸入，有三種輸入范圍：200～240V、380～415V、460～480V。低電壓時IIN=25A(MAX)；其輸出直流為350V/12.5A(MAX)。電網頻率50～60Hz。

2 3500W電源解剖

解剖工作第一步是拆焊兩種（兩臺）電源主板上的大功率元器件，共有三類：

1）最重的大號磁性組件主功率變壓器和Boost儲能電感器，鐵粉芯磁環電感5只；

2）大號MOSFET、IGBT功率開關管模塊，和兩只電網整流器模塊P425等；

3）大號高壓鋁電解電容器940μF/450V4只，

220μF/450V2只，以及多個CBB高頻、高壓、無感、無極性聚丙烯大電容器，都是優質的突波吸收元件。

圖2

2.1 IR公司的功率器件

首先，讓我意外新奇的是：均為IR公司商標的MOSFET、IGBT大模塊，其產品型號標記居然都被假代號替換，它們在IR公司厚本產品手冊上均查不到。

1）側壁貼出一個IGBT內接一只二極管的模塊，標號為“F530（9604）”、“F826（9615）”、“F1670（9726）”、“F4702（9845）”等。

2）從電路判斷是一個MOSFET內含一只二極管的模塊，標號為“M4005（6315）”、“M4427（9624）”、“M3422（9611）”等。

3）從電路判斷是二只MOSFET（半橋雙管）的模塊，標號為“M5220（9708）”、“M5662（9726）”、“M3419（9603）”、“M6768（9814）”等。

在市場上從未見過這種特殊外殼，每只重近100g的MOSFET大模塊。每臺電源用4只，其散熱頂層的銅塊厚達6mm，長寬=9.2cm2cm。48V電源有炸裂。

4）PFC控制板上的主芯片標記為“53H1747”，4臺電源均同，本應是UC3854。我先把拆焊下來的IR公司產品MOSFET和IGBT共8～9只，帶到IR深圳分公司找技術員詢問和鑒定，回答是“軍用絕密級”產品，非工業民品，故手冊上無。按3500W電源分析，該MOSFET反向耐壓應在500V～600V，工作電流在30A～40A。由于IR代理商確認了這兩種大功率電源主板上使用的大號高頻開關管，是為軍用裝備特制的高檔產品，為了保密才改用假代號。因此，值得下功夫認真細致地對兩種3500W電源作深入解剖、全面測量、專題分析。隨后我又幾次在供貨商處查看多臺開蓋電源主板上的MOSFET、IGBT模塊側壁商標，并詳細記錄主要符號，才發現IR公司設在墨西哥（MADEINMEXICO）廠地的特制MOSFET，暗藏了下述重要標記：

――凡是在最下層標上“82?5039＋”者，不論假代號怎么變，均為半橋雙管MOSFET，如“M7471（9846）”、“M3937（9613）”、“M3438（9602）”、“M5706（9732）”、“M3467（9602）”；

――凡是最下層標記為“82?6252＋”者，不論假代號如何換，均為單管MOSFET加一只二極管，如“M7453（9845）”、“M4045（9616）”、“M3721（9609）”、“M5394（9714）”、“M3161（9547）”、“M3453（9602）”等。

2.2 EC公司的電容器

電源上使用的EC公司CCB高壓無極性電容器，其工藝之精致，市場上難見到。

1）每臺電源用3只大號長園柱形CBB－2.5μF/DC850V，HD=6cm2.4cm；

2）用2只橢園形CBB－8μF/DC500V，LWT=4.7cm3.9cm2.6cm；

3）每臺用2只CBB－1.0μF/DC850V（扁平形、4引腳），上述三種電容器用在三相輸入濾波與Boost電路；

4）48V/70A通信電源輸出濾波電容器CBB－50μF/DC100V，是最粗胖的，無極性；

5）350V/10A特種電源輸出濾波電容器CBB－3.3μF/DC500V，均用半透明硅膠封裝。

2.3 磁性元件

對兩種3500W高檔電源主板上實用的大型磁件組合拆開細看，其特殊的設計結構和選材，讓我大開眼界，并悟到多項技巧。

2.3.1 主功率變壓器漆包線繞組和絕緣膠帶

拆解之后發現，兩種3500W電源均是用兩塊大號磁環疊合而成。每塊磁環的外徑達?73mm，磁環厚（高）12mm，其繞組線的寬度為18mm。選用磁環在100kHz開關高頻時不存在漏感問題；而兩塊扁平面磁環疊合在一起，再緊繞制主變壓器的原邊繞組和副邊繞組、加多層絕緣膠帶等。在兩塊金屬鐵粉芯磁環平面之間，實際上仍然存在許多小的天然氣隙（雖已壓緊靠攏），這使得主功率變壓器在重負載高頻大電流工作時，抗飽和能力大增。這與大號功率鐵氧體磁芯的截斷面被細磨拋光“鏡亮”的狀況大不相同。

美、德公司在大功率高頻開關電源關鍵部件上采用的先進技術值得借鑒。可以預計，如果3500W電源的主功率變壓器改用傳統常規的EE85厚型鐵氧體磁芯，不僅體積和重量會成倍增大，而且過載抗飽和能力會明顯降低，使電源在浪涌沖擊下損壞MOSFET功率管的幾率大為增加。由Ascom研制的6000W－48V/112A大功率電源，其主變壓器磁芯改為三塊?73mm扁平磁環疊合，這個驚人之舉太巧妙、獨特而意義深遠，十分值得學習采納。

2.3.2 Boost變換器的方形鐵殼儲能電感器

拆解后才發現新奇的結構與選材。350V/10A電源Boost電感器是采用三付6塊EE55鐵氧體磁芯復合而成，但其中心柱截面氣隙達5.2mm（每塊為2.6mm）。Boost儲能電感器的繞組導線并不用常規的多股?0.47mm漆包線卷繞，而是采用兩條極薄的（厚度僅0.1mm）、寬度33mm紅銅帶疊合，每條薄銅帶總長約6.5m，疊合壓緊在（可插6塊EE55磁芯的）塑料骨架上共繞26圈，再接焊錫導線引出，用多層耐高壓絕緣膠帶扎緊包裹。這種特殊薄銅帶工藝繞制的Boost儲能電感量=267μH、Q=0.36，它對于減小高頻集膚效應、改善Boost變換器開關調制波形、降低磁件溫升均有重要作用。

這又是一項前所未見的重大技術革新。多年來電源技術論文中有關PFC?Boost磁件的設計論文尚未見過這種報道。前幾年我在2000W?PFC試驗時換用幾種大號鐵粉芯磁環，或用較大罐形鐵氧體磁芯加大氣隙，繞制的Boost儲能電感器仍發熱過快、過高，效果不理想。現受到很大啟發。

2.3.3 附加諧振電感器

拆焊350V/10A電源時，發現主功率變壓器原邊繞組串聯的附加諧振電感器，是一種直徑為?33mm的鐵硅鋁磁環，繞組用多股細線繞3.5圈，電感量為3.2μH。而拆焊6000W電源350V/17A輸出型，其原邊串接的附加諧振電感器是用?42mm的鐵硅鋁磁環。比較幾年前試驗用的1000W、2000W、3000W電源，曾用加氣隙的EE55、EE65、EE70鐵氧體做附加諧振電感器，它們比主功率變壓器磁芯只小一個等級，且溫升較高。可見改用鐵硅鋁磁環，能大大減小附加諧振電感器重量和體積，是發現的又一項新技術。

為了準確繪制兩種3500W電源主板上的所有元器件焊點位置，印制板銅箔走線，以便畫出真實的電源電路設計圖，我預先測量尺寸，盡量避開焊點，在主板中間位置鋸開了印制板（厚2mm的玻璃纖維硬板），終于按1：1的實際比例，用2張A4復印紙即可繪制出電源主板正面元器件布局圖、兩塊控制板焊點位置等。再用2張A4白紙繪制電源主板背面印制板銅箔走線、一些貼片阻容、許多穿孔焊點定位等。并由此初步繪出了3500W電源的主功率變換電路，如圖1所示。兩種電源的設計結構大同小異，并給出了圖2總方框圖與PFC、全橋控制板的關系圖。

3 3500W兩種電源主電路的特點與分析

從實體解剖、拆焊繪制48V/70A通信電源（有的穿孔、有的并不穿孔只在單面），由此繪出的圖1主功率變換電路圖，以及圖2電源總結構框圖與PFC、全橋控制板相互關系，看出一個總體規律。

1）兩種直流輸出電壓和電流大不相同的3500W高檔電源（Vo、Io均相差7倍），其主功率變換電路的三大環節基本相同，即電網輸入濾波整流電路；PFC系統的Buck?Boost組合電路亦分段控制；全橋變換器移相式控制ZVS軟開關電路。

2）兩種電源的PFC貼片元器件控制板完全相同。有8只IC和上百個阻容。包括PFC控制板與電源主板連接的雙列插頭16芯焊腳也完全相同。高密度的PFC貼片控制板僅厚1.0mm，但解剖發現印制板內部還有兩個夾層電路設計。

3）兩種電源的貼片元器件高密度全橋控制板實體大不相同，其主芯片均用UC3877。48V/70A電源全橋控制板單面布元器件。其總面積比雙面均焊貼片元器件的350V/10A電源全橋控制板大一倍；單面元器件的印制板夾層銅箔走線也較簡?些。兩種電源接外殼監控電路插座結構也不同。48V電源全橋控制板上與主芯片UC3877DWP配合的另外7只IC是LM339X2，74HC05，74HC86，LM358X2，MAX875。350V電源全橋控制板與主芯片UC3877DWP配合的另外8只IC是OP177G、AD620、LM393X3、LM358、74HC05、74HC86等。48V/70A通信電源長70cm，主板空間寬裕。但該電源Boost儲能電感器磁芯只用了兩付4塊EE55，功率容量偏小，有兩臺電源炸毀Boost?MOSFET，是設計失誤。

4）350V/10A電源實體副邊整流之后加設了有源箝位電路，使主功率變換器副邊也實現軟開關，明顯降低了在空載惡劣條件下電源整機的高頻噪聲。特別是350V電源的Boost儲能電感器設計是采用三付6只EE55磁芯組合（中心柱氣隙均5.6mm），沒有發現一臺350V電源炸Boost?MOSFET。說明該專題設計組成功了。

表1及圖3分別給出了一臺350V/10A電源在空載惡劣條件下，儀器測量打印的數據和波形。圖4給出加負載400W之后測量打印的電網輸入電流、電壓波形，功率因數值，頻譜特性等。

IBM、Ascom電源把市電三相輸入，巧妙地先分解成兩個單相輸入，然后再分別作全波整流，其中一只受控。這在大功率開關電源設計上具有重大優勢和實用價值。普通的三相PFC變換器輸出電壓高達DC760～800V（有的甚至DC1000V）這就要求后級變換器的功率開關管耐壓達DC

1000～1200V。因此，國際上熱門研究用三電平軟開關變換器克服該難題，它需要多串聯一只開關管降低反向電壓，使電路元器件及成本明顯增加。而IBM獨辟新路，用較簡化方法解決了該難題。圖4為加載波形。圖5給出了350V/10A電源在4種不同負載條件下，測量打印的電網輸入電流、電壓波形等。

表1 PF9811配合電腦、專用軟件測量打印的第2頁測試報告：高次諧波數據群