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        一種POL終端匹配電源的熱模擬研究

        作者: 時間:2009-05-08 來源:網絡 收藏

        摘要:介紹了廣泛應用于存儲器、CPU等高速信號端口的的工作原理。根據各元器件的功耗,建立該的熱模型,并利用ICEPAK軟件對其進行熱仿真。通過仿真結果與實際測試結果的對比,確認模型和計算方法的準確性。此熱仿真方法可廣泛用于同類電源的熱評估。
        關鍵詞:;功耗;ICEPAK;熱模型;仿真

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/181408.htm


        0 引言
        (P0int Of LOad)電源廣泛應用于存儲器、CPU等高速信號端口。端口電壓能夠自動跟蹤1/2主電源的電壓,并輸出或吸入信號的電流。本文中自主研制的端口匹配電源DDRl2V4520,輸出穩壓精度高、響應快、電壓設定數字化,已廣泛應用于多個工程項目,實際使用效果良好。本文對比該電源的熱仿真結果與實測結果,評估電源的溫升,確認了模型的準確性。在以后的同類電源設計中,通過仿真計算,可以相當準確地預計電源的熱工作狀況。


        1 工作原理
        電源DDR12V4520的主電源輸出電壓為1.5V~2.8V,額定輸出電流45A。匹配電源跟蹤l/2主電源電壓,可以輸出或吸入電流,額定容量20A。圖l是該電源的原理圖。圖2給出了完成貼裝焊接的電源DDRl2V4520的實物照片。主電源控制器為ADP3163(Analog Devices),匹配電源控制器為MAXl917(Maxim)。主電源的功率器件采用三合一DrMOSR2J20601(Renesas),匹配電源的功率器件是FDD6035AL和FDD8870(Fairchild)。輸出采用低串聯阻抗固體有機膜電容器濾波,實用效果十分理想。主電源的輸出電壓通過5位VID碼設定(ADP3163),使用十分方便,電壓精度可達0.025V。
        主電源功率器件DrMOS R2J20601是Renesas公司推出的新型的三合一芯片。該芯片集兩個MOSFET和一個驅動電路于一體,具有工作頻率高、功耗低、結構緊湊、封裝小、輸出電流大、效率高等優點,十分適用于低電壓、大電流的應用場合。圖3給出了該芯片的內部結構圖。圖4給出了該芯片的實物圖。

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