對于NMOS晶體管M1和M2，其柵源電壓分別為Vgs1和Vgs2，那么圖3中電壓為：本文引用地址：http://www.104case.com/article/181254.htm
如果利用前面提到的兩個工作在弱反型區的MOS管輸出電壓特性來控制兩個工作在飽和區的NMOS的柵極電壓Vgs1和Vgs2，使得：
式中：λ為比例常數。
將式(5)代入到式(3)可得：
對于參數KM1，它主要受晶體管遷移率λ的影響，通常被定義為：
式中：T為絕對溫度；α由工藝決定，典型值為1．5。將式(7)代人式(6)可得：
它為一個與溫度無關的常數。
光敏電阻相關文章:光敏電阻工作原理
加入技術交流群
評論