新聞中心

        EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 幾種實(shí)用的低電壓冗余電源方案設(shè)計(jì)

        幾種實(shí)用的低電壓冗余電源方案設(shè)計(jì)

        作者: 時(shí)間:2009-12-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        另外,使用TI公司的TPS2412可以構(gòu)成多路輸入方案,這種方案需要為每路輸入配置1片TPS2412。如圖6所示,每個(gè)芯片通過外部控制1個(gè)MOSFET來模擬1個(gè)二極管的“或輸入”。芯片的A、C引腳分別為輸入、輸出檢測引腳,VDD為芯片供電電源,RSET通過配置不同的外接電阻來調(diào)節(jié)MOS-FET導(dǎo)通的速度,也可以懸空。由該芯片可以構(gòu)成多于2路的電源冗余方案。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/181149.htm

        5.2 帶過、欠壓檢測的冗余電源方案
        圖7是由2個(gè)P12121芯片構(gòu)成的帶過壓、欠壓檢測的雙路冗余電源方案。P12121為Vicor(懷格)公司的一款電源冗余專用芯片,由于其內(nèi)部集成有24 A、1.5 mΩ的MOSFET,因此外部電路非常簡單。芯片OV為過壓檢測引腳,高于0.5 V時(shí)MOSFET自動(dòng)切斷;UV為欠壓檢測引腳,低于0.5 V時(shí)MOSFET切斷,F(xiàn)T為狀態(tài)輸出引腳,VC為芯片工作電源引腳。使用P12121也可以靈活地構(gòu)成多路輸入電源方案。

        5.3 熱插拔及過、欠壓保護(hù)的冗余電源方案
        LTC4352是一種除了過壓、欠壓保護(hù)外,還具備防護(hù)電源熱插拔浪涌電流的單路冗余電源芯片。圖8所示為LTC4352構(gòu)成的單路冗余電源電路,多個(gè)這樣的電路并聯(lián)可以構(gòu)成多路冗余電源方案。圖中OV、UV分別為過壓、欠壓檢測,該電路通過CPO懸空使芯片不能快速通斷MOSFET,依靠欠壓檢測使GATE引腳在電源上電后延遲開通MOSFET,由R1、C組成的阻容網(wǎng)絡(luò)使電源輸出的上升速度減慢,R2則有效防止了Q的開關(guān)振蕩,從而實(shí)現(xiàn)了一定的熱插拔浪涌電流保護(hù)功能。

        5.4 均流控制的冗余電源方案
        若要使不同的輸入電源同時(shí)承擔(dān)負(fù)載電流(即均流控制),需要外加一個(gè)前提,即各輸入電源的能夠通過控制信號(hào)被外部調(diào)節(jié),以達(dá)到各電源電壓基本相同的目的。通過LTC4350控制這種電源,可以實(shí)現(xiàn)均流的功能。圖9是1個(gè)應(yīng)用例圖,圖中“SHARE BUS”是各芯片共用的分配總線,該電路主要通過檢測電源通路上的電流來調(diào)節(jié)輸入電源的電壓,達(dá)到各模塊均衡提供電流的目的。

        RSENSE為電流檢測電阻,LTC4350檢測該電阻兩端的電壓,內(nèi)部放大后與GAIN引腳的電壓比較,根據(jù)比較結(jié)果再通過IOUT引腳的模擬輸出控制輸入電源的電壓變化,以達(dá)到調(diào)整該路電源輸出電流的目的。另外,UV、OV引腳分別為欠壓、過壓檢測引腳,LTC4350通過檢測這兩個(gè)引腳的電壓可以控制MOSFET的關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)和過壓保護(hù)的功能。


        上一頁 1 2 3 下一頁

        評(píng)論


        相關(guān)推薦

        技術(shù)專區(qū)

        關(guān)閉
        主站蜘蛛池模板: 明光市| 克东县| 咸宁市| 微山县| 怀远县| 长泰县| 霍山县| 锡林浩特市| 宁晋县| 秦皇岛市| 淅川县| 五大连池市| 恭城| 呼伦贝尔市| 南召县| 寿光市| 津市市| 红安县| 济宁市| 庐江县| 敦化市| 通辽市| 乌苏市| 屯昌县| 新泰市| 通化市| 彩票| 新田县| 北京市| 江门市| 唐山市| 布拖县| 闸北区| 涟源市| 共和县| 云霄县| 桂阳县| 九龙城区| 包头市| 双城市| 平潭县|