熱插拔控制器的應用
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3 熱插拔保護電路設計
熱插拔控制器可象圖3那樣放置在板卡上或象圖4那樣放置在背板上,置于背板上時允許具有不同輸入電容的板卡（不帶熱插拔保護）在同一插槽進行帶電插拔。圖3電路可利用MAX4273內部的ON比較器監測外部元器件（如MOSFET）的溫度,當溫度超出預置門限時,ON比較器通過邏輯控制器斷開MOSFET。復位比較器對輸出電壓進行監測,以為微處理器提供復位控制。具體設計時需注意外部元件的選擇和有關參數的設置。
3.1 合理選擇外部元件
N溝道MOSFET應選擇具有低導通電阻（RDS（ON））的MOSFET,以使漏源之間在滿負荷負載下具有較低的壓差,從而降低MOSFET的功率損耗。如果RDS（ON）較大,輸出電壓會隨板卡負載的變化而出現波動。表1列出了幾種MOSFET的推薦型號,供設計參考。
表1 MOSFET推薦型號：
| 型 號 | 性能指標 | 廠 商 | 網 址 |
| IRF7413 | 11mΩ、8SO、30V | 國際整流器公司 | www.irf.com |
| IRF7401 | 22mΩ、8SO、20V | ||
| IRL3502S | 6mΩ、D2PAK、20V | ||
| MMSF3300 | 20mΩ、8SO、30V | 摩托羅拉公司 | www.mot-sps.com/ppd/ |
| MMSF5N02H | 30mΩ、8SO、20V | ||
| MTB60N05H | 14mΩ、D2PAK、50V |
選擇限流電阻（RSENSE）時,應保證所允許的最大工作電流在限流電阻上產生的壓降高于低速比較器的過載電壓門限（50mV）,通常過載電流設置為最大工作電流的1.2～1.5倍。高速比較器的門限電壓應為固定的220mV或50mV～4750mV之間調節,故障檢測電流一般設置為過載電流門限的4倍。表2列出了幾種RSENSE與限流電平所對應的值：
表2 限流電平與RSENSE：
| RSENSE（mΩ） | 低速比較器過流檢測門限（A） | 快速比較器故障電流門限（A） |
| 10 | 5 | 5～75 |
| 50 | 1 | 1～15 |
| 100 | 0.5 | 0.5～7.5 |
a.快速比較器門限的設置
快速比較器故障檢測門限由RTH確定,門限可調范圍為50mV～750mV,對應的電阻值范圍為5k～75kΩ,RTH（kΩ）=VTH.FC（mV）/10。注意,當200ΩRTH5kΩ時,高速比較器門限低于50mV,此時低速比較器操作失效,因此,不應選擇200Ω～5kΩ范圍內的RTH。
b.啟動時間設置
圖3中的CTON決定了MAX4273所允許的最大啟動時間,默認值（CTON 引腳浮空）為μs,啟動時間為tON(ms)=0.31xCTON(nF),選擇CTON時應使tON足夠大,以保證在啟動時間內MOSFET具有足夠的柵極驅動能力并使負載電容被完全充電。
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