利用2SD315AI設計的驅動大功率IGBT原理
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驅動模塊的驅動能力及保護性能是人們較為關心的問題，以下是應用當中的幾點體會：
·由于IGBT的柵極有很高的輸入阻抗，因此在無柵極放電回路的情況下，其柵極易積累電荷，并且柵極氧化層很脆弱，僅能承受±20V的耐壓，容易造成柵源極問的擊穿，使IGBT損壞，在實際電路中采用了±15V的柵源偏壓，從而提高了IGBT的短路耐量。
·為改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減小IGBT集電極大的電壓尖脈沖，根據該模塊的使用手冊合理選擇柵極的串聯電阻，既可獲得良好的驅動脈沖，又控制了IGBT通斷狀態變化的過渡時間。
·用外接的電阻Rth來定義功率管導通時的管壓降，當大于定義的最大管壓降時，監測電路便輸出故障報警信號，并關斷功率管，從而保護了IGBT。
·當給驅動模塊供電的電源電壓過低時，則會影響驅動電路的可靠性，監控電路便向模塊
內部發送故障信號，使整個模塊處于封鎖狀態，保護了系統的安全。這里，模塊的工作狀態是由模塊上的兩路SO輸出引腳的電平所表示，并經過邏輯關系接入到保護電路中實現狀態檢測。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/180181.htm
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應用實例
該驅動模塊有兩種工作方式：直接方式和半橋方式。當驅動器工作在直接方式時，驅動器的驅動通道之間沒有聯系，兩個通道總是同時被驅動。而在半橋方式下，MOD輸入端接GND，InA輸入PWM信號，InB輸入使能信號(高電平有效，低電平將所有通道封鎖)。由于兩個狀態輸出端SO1和SO2接在一起，所以兩個驅動通道輸出同一故障信號。死區時間是由模塊上RC1和RC2的外接電路來確定，使驅動的兩路輸出信號不會同時為高電平。
利用2SD315A驅動高功率密度IGBT需要注意以下幾點：
·工作模式MOD的設置和參考電阻Rth的選擇是正確使用該驅動模塊的前提，需要注意
在半橋工作模式下死區時間的設置以及Rth大小與功率開關管型號的匹配關系。
·合適的柵極電阻Rg對與IGBT的驅動非常重要。Rg太大，會使IGBT通斷狀態變化的過渡過程時間延長，能耗增加；但Rg太小，會使di/dt增大，可能引起門極電壓振蕩，造成觸
發誤導通，嚴重時可能會損壞IGBT。通過以下公式確定Rg可選擇的最小值：
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