基于LTCC技術(shù)的S波段低噪聲放大器的小型化設(shè)計(jì)

　　實(shí)際上， 通過調(diào)試和優(yōu)化， 其結(jié)果也可以達(dá)到所要求的指標(biāo)。然而， 單級(jí)電路仿真后， 由于級(jí)間匹配等問題， 一般還要進(jìn)一步調(diào)試與優(yōu)化，特別應(yīng)當(dāng)注意的是第一級(jí)放大器的S22雖然在仿真時(shí)可以不用要求太嚴(yán)格， 但也不能太差， 一般要求S22要小于-10dB， 否則會(huì)在兩級(jí)合并時(shí)嚴(yán)重影響輸入、輸出駐波。圖3所示是ADS的整體仿真電路。

圖3 ADS整體電路仿真圖

　　3 內(nèi)埋置技術(shù)仿真

　　內(nèi)埋置技術(shù)現(xiàn)在是小型化電路與系統(tǒng)研究的重要方法之一， LTCC技術(shù)為無源器件內(nèi)埋提供一個(gè)良好的平臺(tái)。通過HFSS軟件可以仿真出需要的電容與電感。本文以ferro公司的A6 (介電常數(shù)為5.9) 為例來仿真本電路所需要的電感與電容， 而且這種電感與電容的自諧振頻率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般貼片封裝的電感與電容。而通過內(nèi)埋置技術(shù)， 可以把電路中大量的無源器件埋置到基板中， 從而大大縮小電路板的面積。圖4所示是內(nèi)埋置技術(shù)的2.2μH電感和47pF電容的仿真結(jié)果。

(a) 2.2nH電感仿真

(b) 47pF電容仿真

圖4 內(nèi)埋置技術(shù)的仿真結(jié)果

　　4 結(jié)束語

　　本文介紹了一種基于LTCC技術(shù)的S波段低噪聲放大器的小型化設(shè)計(jì)方法。通過LTCC這種新材料與新工藝把無源器件內(nèi)埋置到電路基板中，再選用合適的小封裝器件與合理的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 使電路的面積大大縮小， 從而實(shí)現(xiàn)小型化、低成本之目的。