美國CDE電容模塊在緩沖電路中的應用
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（2）確定緩沖電容的值。
從式（1）和式（2）不難看出，大功率IGBT電路要求母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感愈小愈好。這不僅可以降低ΔV1，而且可以減小緩沖電容C的值，從而降低成本。
表1針對不同直流母線電感量，列出緩沖電容的推薦值。該表是設定ΔV2≤100V時由式（2）計算得出的。
還有一種經驗估算的辦法，通常以每100A集電
極電流約取1μF緩沖電容值。這樣得到的值，對于很
好地控制瞬態電壓是充分的。
4美國CDE電容模塊在緩沖電路中的應用
從第3節的討論得知，母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感，對IGBT電路尤其是大功率IGBT電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT相匹配的快速緩沖二極管，以及無感泄放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的；有通過印制版連接的；更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護IGBT安全運行。
美國CDE是一家老牌跨國公司，其電容產品因品質優越而為美國國家宇航局選用，并隨航天器而享譽太空。CDE公司的緩沖電容模塊能充分滿足IGBT電路尤其是大功率IGBT電路對緩沖電路的要求。CDE公司的緩沖電容模塊有SCD、SCM和SCC三種類型，其選型參數見表2。
（1）SCD型電容模塊為一單元緩沖電容封裝，構成圖4（a）緩沖電路。適用于中、小電流容量的IGBT模塊，以吸收高反峰瞬變電壓。容量0.22μF～4.7μF，直流電壓分600V、1000V、1200V、1600V、2000V五檔。其特點是，低介質損耗，低電感（20nH），有自修復能力，防火樹脂封裝，直接安裝在IGBT模塊上。
（2）SCM型電容模塊為一單元緩沖電容與緩沖二極管封裝，與外接電阻構成圖4（b）緩沖電路。適用于中、小電流容量的IGBT模塊。根據緩沖電容位置的不同，有P型和N型之分，即電容模塊中緩沖電容與P母線相連的稱P型，與N母線相連的稱N型。N型電容模塊適合于一或兩單元IGBT模塊。若用兩個一單元IGBT模塊串聯并采用圖4（c）緩沖電路，則P型并接P母線端IGBT模塊，N型并接N母線端IGBT模塊。容量范圍0.47μF～2.0μF，直流電壓分600V、1200V兩檔。其特點是，低介質損耗，低電感量，緩沖電容與快恢二極管一體封裝，有導線與外接電阻相連，防火樹脂封裝，直接安裝在IGBT模塊上。
（3）SCC型電容模塊為兩單元緩沖電容與緩沖二極管封裝，與外接電阻構成圖4（c）緩沖電路。適用于大電流容量的兩單元IGBT模塊。容量0.47μF～2.0μF，直流電壓分600V、1200V兩檔。其特點是，低介質損耗，低電感量，高峰值電流，緩沖電容與超快恢復二極管一體封裝，有導線與外接電阻相連，防火樹脂封裝，直接安裝在IGBT模塊上。
5結語
以上簡單的討論和介紹，其目的是想引起讀者對緩沖電路和緩沖電容選擇問題的充分重視。在可能的
| 模塊型號 | 推薦設計值 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 主母線電感(nH) | 緩沖電路類型 | 緩沖電路回路電感(nH) | 緩沖電容（μF） | 緩沖二極管 | |
| 10A50A六合一或七合一型 | 200 | 圖4(a) | 20 | 0.1～0.47 | |
| 75A200A六合一或七合一型 | 100 | 圖4(a) | 20 | 0.6～2.0 | |
| 50A200A雙單元 | 100 | 圖4（b） | 20 | 0.47～2.0 | |
| 300A600A雙單元 | 50 | 圖4（b） | 20 | 3.0～6.0 | |
| 200A300A一單元 | 50 | 圖4（c） | 30～15 | 0.47 | 600V:RM50HG12S1200V:RM25HG24S |
| 400A一單元 | 50 | 圖4（c） | 12 | 1.0 | 600V:RM50HG12S1200V:RM25HG24S（2個并聯） |
| 600一單元 | 50 | 圖4（c） | 8 | 2.0 | 600V:RM50HG12S（2個并聯）1200V:RM25HG24S（3個并聯） |
表1緩沖電路和功率電路設計推薦值
| 型式 | 型號 | 說明 | 電壓(Vdc) | 電容值(μF) | dv/dt(V/μs) | 峰值電流(A) | 均方根電流(A) | 頁碼 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGBT緩沖電容模塊 | ||||||||
 | SCD | 聚丙烯電容，20nH,預留23mm～28mm導線 | 600～2000 | 0.22～4.7 | 150～800 | 118～1200 | upto50A | 5.002 |
 | SCM | 聚丙烯電容和超快恢復二極管，20nH,預留23mm～28mm導線 | 600～1200 | 0.47～2 | 150～600 | 300～1000 | upto50A | 5.004 |
 | SCC | 2聚丙烯電容和超快恢復二極管，20nH,預留23mm～28mm導線，雙IGBT | 600～1200 | 0.47～2 | 150～600 | 300～500 | upto50A | 5.006 |
表2電容模塊選型表
情況下，最好選用適當的電容模塊構成適當的緩沖電路，并直接安裝在IGBT模塊上。這樣，莫名其妙損壞IGBT模塊的幾率，也許會小得多。
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