常規(guī)驅(qū)動與保護電路圖解
加入技術(shù)交流群
如圖4所示:圖中D4選用高頻低壓降肖特基管,用于V1的抗過飽,減小存儲時間提高關(guān)斷速度.D2用超快恢復(fù)二極管.其工作原理:C1對開通瞬間不能突變,有兩個作用:一是方波高于ZW穩(wěn)壓值使V1基極偏置而導(dǎo)通,經(jīng)R5與D3對FET驅(qū)動導(dǎo)通后漏極處低電平D2導(dǎo)通箝位,V1的偏置回路維持導(dǎo)通,電容C1始終處于低電平.當(dāng)發(fā)生過流時,VDS迅速上升,ZW低于穩(wěn)壓值將失去導(dǎo)通回路V1將截止.二是R3與C1形成積分延時,并且C1可通過R3在負(fù)半周的負(fù)電位而更加可靠地開通V1.
3.3增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動保護電路
對于IGBT器件增加軟關(guān)斷技術(shù)的電路如圖5所示:
DIY機械鍵盤相關(guān)社區(qū):機械鍵盤DIY
評論