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        高頻開關電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術

        作者: 時間:2011-04-14 來源:網絡 收藏

        日本東北金屬公司科研人員在開發SB—lM(相當于PC50)材料時,發現通用的復合添加物SiO2CaO有一部分會在晶粒內溶解,從而增大磁滯損耗,在500 kHz~1MHz條件下,其降低損耗的效果并不好..為此,他們開展了卓有成效的研究工作,期望找出不使磁滯損耗增大的更有效提高電阻率的添加物。表l列出了他們的研究成果,在這8種添加物中,Al2O3、SnO2、TiO2都溶解于晶粒內,幾乎看不到有提高電阻率的效果,其它添加物主要在晶界內游離。這些添加物中,HfO2對提高電阻率最為顯著[2],其降低渦流損耗效果最佳。

        在開發高性能材料時,要充分利用前人的成果,不要花過多精力浪費在配方和添加物的摸索上。總的配方和摻雜原則是盡可能地使磁晶各向異性常數K1和磁致伸縮常數λs趨近于零。選擇添加物要注意以下原則:
        1)摻入添加物總量(wt%)應控制在O.2%以下;
        2)CaO(或CaCO3)和SiO2通常是不可或缺的添加物;


        3)V2O5、Nb205、_Ti02、Ta2O5、HfO2、CO2O3等高價離子組合添加,組分不宜過多,最好不超過4種,每種添加物的重量一般應控制在1000ppm,以下;
        4)在上述各添加物中,除了Co3+子外,其它離子的K1值都是負值,如飛利浦公司開發的3F3材料(介于PC40和PC50之間的一種材料),基本要點就是同時添加了Ti4+和C03+以控制材料的溫度特性,減少磁滯損耗,如圖6所示。

         



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