雙H橋雙峰雙向脈沖電鍍電源設計與仿真
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本設計中第一個H橋開關管選用IR公司HEXFET系列的功率MOSFET管IRFP450L：td(off)=30ns，tf=30 ns，所以開關管的關斷時間：toff=tf+td(off)=30+30=60 ns。第二個H橋開關管選用IGBT管GT40T101，選用的方法與選用第一個H橋開關管類似，此處不累贅。
高頻變壓器原邊繞組匝數為118，副邊繞組匝數為14，匝數比n=8．3。
2)全橋移向變換器中Llk的選擇
聯立以上兩式得：
26．892 μHLlk747 μH本設計中取Llk=30μH。
3)超前橋臂開關管并聯電容Cr(C1、C2)的選擇緩沖電容Cr的作用是實現超前臂的軟開關關斷，為了保證超前臂不直通，必須滿足
其中fL是輸出濾波電感的工作頻率fL=2f=40 kHz；Ioccm是維持電感電流連續的標稱最小電流，本設計中取：Ioccm=10％Io；得到L=44．6μH增加裕度10％，本設計中L取值為50μH。
6)輸出濾波電容的選擇
本設計選用4 700 μH鉭電解電容和4．7 μF普通電容并聯濾波。
7)全橋移向軟開關各時間段的計算
本設計中由于用PISIM仿真軟件，其中PWM模塊是利用開關點的數目和開關點(用度表示)來設置，所以必須將對應的時間轉換為角度。
PWM1：頻率：20kHz；開關點數：2；開關點：1．7928 180；
PWM2：頻率：20kHz；開關點數：2；開關點：181．7928360；
PWM3：頻率：20 kHz；開關點數：2；開關點：216576．395．13：
PWM4：頻率：20kHz；開關點數：2；開關點：36．576 215．13；
PWM5：頻率：100Hz；開關點數：4；開關點：0 60 90 150；
PWM6：頻率：100Hz：開關點數=4；開關點：180 240 270 330；
PWM7：頻率：100Hz；開關點數：4；開關點：180 240 270 330；
PWM8：頻率：100Hz；開關點數：4；開關點：0 60 90 150；
5 主電路仿真結果
本設計利用PSIM作為仿真軟件，它是專門為電力電子和電動機控制設計的一款仿真軟件。它具有快速的仿真功能和友好的用戶界面等優點，針對不同用戶而提供的一種強有效的仿真環境。PSIM具有獨特仿真速度、可控制任意大小的電力變換回路、及對控制回路仿真功能的特點，在各個不同系統的仿真領域、控制環的設計、以及電機驅動系統設計領域被廣泛應用。PSIM作為仿真工具以及設計工具使用，可以大大提高工作效率和生產性能，對降低開發成本和到出廠時間的縮短都起到舉足輕重的作用。仿真結果如圖3所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/179155.htm
6 結束語
1)無孔針鍍鎳：用直流電鍍，48 h，鍍層厚度240 μm，且鍍層粗糙。采用雙峰雙向脈沖電鍍電源，鍍層厚度240μm只需20 h，表面光滑，無毛刺。節約時間將近2倍。
2)雙脈沖鍍銅：給PCB板鍍銅，用普通直流電鍍時通常出現孔徑兩端之銅層過厚但中心銅層不足之現象，導致印刷電路板不合格，現采用雙峰雙向脈沖電鍍電源，脈沖頻率1000 Hz，正向開通時間為300 μs，正向關斷時間50μs，反向開通時間為100 μs，反向關斷時間為50μs，即可克服直流電鍍時出現孔徑兩端之銅層過厚但中心銅層不足之現象。
從以上實驗證明，此方案既能提高電鍍質量，又能節約電鍍時間，有較好的應用價值。
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