晶體硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究
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時(shí)間：2011-07-25
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根據(jù)資料和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，從以上幾組實(shí)驗(yàn)中找出了一些實(shí)驗(yàn)效果比較好的參數(shù)，然后共得到8組優(yōu)化參數(shù)，這8組實(shí)驗(yàn)做完之后，再用1：5的氫氟酸對(duì)制得薄膜進(jìn)行腐蝕，實(shí)驗(yàn)具體參數(shù)如表3，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表4。本文引用地址：http://www.104case.com/article/178831.htm
圖5～圖8給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。采用平板式PECVD法制備氮化硅薄膜時(shí)，沉積條件對(duì)氮化硅薄膜特性的影響如下：
(1)壓強(qiáng)主要對(duì)折射率和腐蝕速率有影響：隨著壓強(qiáng)的升高(見(jiàn)圖5)，折射率上升而腐蝕速率下降(見(jiàn)圖6)。壓強(qiáng)增大時(shí)，膜的均勻性下降(見(jiàn)圖7)。
(2)功率主要對(duì)膜厚和膜厚差有影響：隨著功率的增大，膜厚增大而膜厚差下降(見(jiàn)圖8)。
(3)流量比主要對(duì)折射率、膜厚和膜厚差都有影響：隨著流量比的升高，折射率下降而膜厚和膜厚差都是先升后降(見(jiàn)圖8)。
(4)溫度對(duì)薄膜的各個(gè)參數(shù)影響都不大。溫度上升，折射率增大(見(jiàn)圖5)，腐蝕速度下降(見(jiàn)圖6)。
4 結(jié)語(yǔ)
經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)分析，在溫度為430℃，壓強(qiáng)為2．1×10-1mbar，功率為3 200 W，流量比為3．07，制備的薄膜具有良好特性，是制作減反射膜的良好的方案。
評(píng)論