最新全能數(shù)控電源IC-ADP1043A(二)
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2．11 調(diào)制限制
使用調(diào)制限制寄存器0*2E可以用于最大調(diào)制限制和最小調(diào)制限制，以限制任何PWM信號(hào)，這樣限制了PWM調(diào)制范圍，這些限制為開(kāi)關(guān)周期的百分之幾。如果調(diào)制需要低于最小設(shè)置，脈沖跨越將使能。
下面的例子是如何使用調(diào)制限制的設(shè)置，在此例子中，開(kāi)關(guān)周期是4μs，調(diào)制導(dǎo)通t2沿(下降沿)使能，正常t2位置設(shè)在1．6μs，是4μs周期的40％，調(diào)制高邊限制設(shè)在(正常-35％)，因此調(diào)制低限為(40～35％)=5％的開(kāi)關(guān)周期，即0．2μs。GUI提供ADP1043A使用時(shí)，推薦如圖8所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/178770.htm
2．12 推薦的設(shè)置
在12V應(yīng)用時(shí)，在正常工作模式下：
* 在12VVoutOVP，采用精確的OrFET控制電路去關(guān)斷OrFET。
* Vout>OVP時(shí)，使用負(fù)載OVP去關(guān)斷OrFET，在12V應(yīng)用時(shí)輕載。
* 在12VVoutOVP時(shí)，用ACSNS去關(guān)斷OrFET。
* 當(dāng)Vout>OVP時(shí)，用負(fù)載OVP去關(guān)斷OrFET。
在12V應(yīng)用是，內(nèi)部短路出現(xiàn)如下程序：
* 用快速OrFET關(guān)斷OrFET。
* 用CS1 OCP或者VS1 UVP去關(guān)斷電源并重新啟動(dòng)。
2．13 OrFET操作實(shí)例
熱插入一個(gè)實(shí)際總線一個(gè)新的PSU加入到一個(gè)12V總線，內(nèi)部電壓VS1在OrFET導(dǎo)通前是上斜的，在OrFET導(dǎo)通后，PSU中的電流開(kāi)始流向負(fù)載，在新PSU和總線之間的導(dǎo)通電壓閾值時(shí)可以調(diào)節(jié)的。
2．14 超速控制
一個(gè)總線上Rogue的PSU有一個(gè)故障條件，結(jié)果是總線電壓增加，到OVP閾值以上，好的PSU關(guān)斷OrFET，并調(diào)節(jié)其內(nèi)部電壓VS1，當(dāng)Rogue電源故障條件移去時(shí)，總線電壓減小，好的PSU的OrFET會(huì)立即導(dǎo)通，好的PSU總是從VS3調(diào)節(jié)開(kāi)始。
2．15 短路
當(dāng)輸出整流器中的一個(gè)故障時(shí)。而OrFET沒(méi)及時(shí)關(guān)斷，則總線電壓能崩潰。快速的OrFET比較器要用于保護(hù)系統(tǒng)離開(kāi)此故障，如圖9所示短路電路加到OrFET方面的輸出電容上。在快速OrFET閾值CS2處罰之后，OrFET關(guān)斷，在此情況下，柵驅(qū)動(dòng)器，不是非常快大約有500ns，還顯示出短路故障移去之后工作的恢復(fù)，內(nèi)部調(diào)整率點(diǎn)VS1回到12V，OrFET重新使能，PSU再次開(kāi)始給負(fù)載供電。
(未完待續(xù))
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