大功率VDMOS(200V)的設計研究 作者： 時間：2011-12-28 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 3 結語200V VDMOS器件的設計主要受到擊穿電壓和導通電阻兩個參數的相互影響和相互制約，在設計中應優化兩個參數的范圈。在滿足其中一個的條件下使另一個達到最優的選擇，采用仿真設計可大大減少設計成本。 上一頁 1 2 3 下一頁
加入技術交流群
評論