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        高效HIT太陽能光伏電池技術調研

        作者: 時間:2012-04-25 來源:網絡 收藏

        是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的縮寫,意為本征薄膜異(膜厚5~10nm)質結.是以光照射側的p/i型a-Si膜和背面側的i/n型a-Si膜(膜厚5~10nm)夾住單結晶Si片的來構成的.

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/177421.htm

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        圖一.光伏結構

        HIT光伏基板以硅基板為主;在硅基板上沉積高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜,表層再沉積透明導電膜,背表面有著背表面電場。通過優化硅的表面織構,可以降低透明導電氧化層(TCO)和a-Si層的光學吸收損耗。HIT太陽能光伏電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率,而增強n型c-Si的光吸收率。

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        HIT太陽能光伏電池在上的優勢

        由于HIT太陽能電池使用a-Si構成pn結,所以能夠在200℃以下的低溫完成整個工序。和原來的熱擴散型的結晶太陽電池的形成溫度(~900℃)相比較,大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對稱構造和低溫工藝的特征,減少了因熱量或者膜形成時產生的Si晶片的變形和熱損傷,對實現晶片的輕薄化和化來說是有利的,具有業界領先的高轉換效率(研究室水平為23%,量產水平為20%),即使在高溫下,轉換效率也極少降低,利用雙面單元來提高發電量。



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