Flyback的次級側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問題分析

在討論Flyback的次級側(cè)整流二極管的RC尖峰吸收問題，在處理此類尖峰問題上此處用RCD吸收會比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰電壓可以壓得更低(合理的參數(shù)搭配，可以完全吸收，幾乎看不到尖峰電壓)，而且吸收損耗也更小。

　　整流二極管電壓波形(RC吸收)

　　整流二極管電壓波形(RCD吸收)

　　從這兩張仿真圖看來，其吸收效果相當，如不考慮二極管開通時高壓降，可以認為吸收已經(jīng)完全。

　　試驗過后，你應(yīng)該會很驚喜，二極管可以采用貼片的(快速開關(guān)二極管，如果參數(shù)合適，1N4148不錯)，電阻電容都可以用貼片的。

　　此處的RCD吸收設(shè)計，可以這樣認為：為了吸收振蕩尖峰，C應(yīng)該有足夠的容值，已便在吸收尖峰能量后，電容上的電壓不會太高，為了平衡電容上的能量，電阻R需將存儲在電容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的參數(shù)搭配，是電阻消耗的能量剛好等于漏感尖峰中的能量(此時電容C端電壓剛好等于Uin/N+Uo)，因為漏感尖峰能量有很多不確定因素，計算法很難湊效，所以下面介紹一種實驗方法來設(shè)計

　　1.選一個大些的電容(如100nF)做電容C，D選取一個夠耐壓>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢復二極管(如1N4148);

　　2.可以選一個較小的電阻10K，1W電阻做吸收的R;

　　3.逐漸加大負載，并觀察電容C端電壓與整流管尖峰電壓：

　　如C上電壓紋波大于平均值的20%，需加大C值;

　　如滿載時，C端電壓高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根據(jù)整流管耐壓而定),說明吸收太弱，需減小電阻R;