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        提高繼電器觸點(diǎn)抗浪涌能力的一種新穎旁路保護(hù)電路

        作者: 時(shí)間:2012-08-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        圖中:R1、R2、R3、R4、R5為電阻器;
        C1、C2為鉭電容器;
        G1為光耦器件;
        VT1為P溝道MOSFET;
        K1為
        工作原理如下:
        在驅(qū)動信號接通后,線圈加電,的吸合為機(jī)械動作過程,接通時(shí)間為5~15ms。
        浪涌線圈同步接收驅(qū)動信號,G1導(dǎo)通前,VT1柵極電壓與功率線輸入正端電壓U1相等,VT1為截止?fàn)顟B(tài)。
        G1導(dǎo)通后,功率線輸入正端電壓U1經(jīng)R2、R3為電容C1充電,C1在充電開始階段,VT1柵極電壓通過公式1計(jì)算,忽略光藕器件的導(dǎo)通時(shí)間,此時(shí)VT1為導(dǎo)通狀態(tài)。
        隨C1電壓不斷上升,VT1柵極電壓逐漸升高,當(dāng)C1充電完成后,VT1柵極電壓與功率線輸入正端電壓U1相等,VT1為截止?fàn)顟B(tài),VT1管導(dǎo)通時(shí)間取決于R2、R3及C1參數(shù)與VT1管柵極閾值電壓,忽略光耦器件的導(dǎo)通時(shí)間(通常小于1μs),導(dǎo)通時(shí)間通過公式(2)計(jì)算。
        d.JPG
        式中:UGS(TH)為VT1管開啟電壓;
        C為電容器C1容值;
        U1功率線輸入正端電壓;
        t為VT1為導(dǎo)通時(shí)間。
        通常,繼電器驅(qū)動信號為脈沖信號,高電平持續(xù)時(shí)間t1為80ms,在脈沖信號為高電平時(shí),忽略光藕器件的導(dǎo)通時(shí)間,VT1立即為導(dǎo)通狀態(tài);在脈沖信號為低電平時(shí),忽略光藕器件的截止時(shí)間,VT1立即為截止?fàn)顟B(tài)。
        根據(jù)以上分析,得到以下結(jié)果:
        (1)在脈沖信號為高電平時(shí),VT1立即導(dǎo)通;
        (2)若通過公式(2)中計(jì)算出t小于驅(qū)動信號高電平持續(xù)時(shí)間t1,則VT1導(dǎo)通時(shí)間可通過公式2計(jì)算出。
        (3)若通過公式(2)中計(jì)算出t大于驅(qū)動信號高電平持續(xù)時(shí)間t1,則VT1導(dǎo)通時(shí)間等于驅(qū)動信號高電平持續(xù)時(shí)間t1。

        4 仿真驗(yàn)證
        利用SABER軟件,得到R5處仿真結(jié)果見圖3。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/176494.htm

        e.JPG


        通過仿真,可以看出,MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間為80ms左右。

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