準諧振反激的原理/應用及參數計算介紹

　如果不用固定的時鐘來初始化導通時間,而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值,并僅在這時啟動MOSFET導通時間,結果會是由于寄生電容被充電到最小電壓,導通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關 (Valley Switching) 或準諧振開關。這篇文章的目的目的在于和大家分享關于準諧振反激的原理、應用及參數計算方面的知識。

　　準諧振 QR

　　Q(Quasi)

　　R( resonant)

　　主要是降低mosfet的開關損耗，而mos的開關損耗主要是來源于自身的輸出電容。

　　從上圖中，大家可以討論一下，一般的開關損耗來自于那幾個部分的寄生電容產生的。在傳統的非連續模式反激DCM)的停滯時間內，寄生電容將會跟VDC周圍的主要電感產生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數值。當下一個周期MOSFET導通時間開始時，寄生電容會通過MOSFET放電，產生很大的電流尖峰。由于這個電流出現時MOSFET存在一個很大的電壓,該電流尖峰因此會做成開關損耗。

　　從上面的圖可以看到，準諧振跟一般的傳統反激原理基本一樣。

　　Lleak是初級漏感，Rp是初級電阻，Cp是諧振電容;
　

　　當副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復位)，在開關管的漏極出現正弦波振蕩電壓，振蕩頻率由LP、CP決定，衰減因子由RP決定。

　　對于傳統的反激式變換器，其工作頻率是固定的，因此開關管再次導通有可能出現在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底)。