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        用于實時時鐘的32.768kHz晶振電路分析與設計

        作者: 時間:2013-01-11 來源:網絡 收藏

        摘 要: 提出了一種采用和比較器的結構實現RTC的32. 768kHz集成晶體振蕩的方法。基于UMC 0. 18um 工藝參數,并使用Hspice 對所進行仿真,通過其各項性能指標,驗證了具有起振時間短,波形穩定,功耗低,所占芯片面積小的特點。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/175922.htm

          0 引言

          在很多數字集成電路中都要用到(RTC , Real Time Clock) 電路,而確保RTC 工作計時準確的關鍵部分就是32.756kHz 的晶體振蕩電路。

          傳統的RTC 電路是采用反相器對產生的波形做整形,所用起振時間需要幾個ms ,如果用過多的反相器會加大電路功耗。本文提出一種用晶體起振電路模型和比較器搭建的電路,晶振模型部分產生32. 768kHz的正弦波,比較器部分將波形整形為最終需要的波形。但是本文中所介紹的整個晶振電路的起振時間只需要幾個μs ,而且電路所需靜態電流少,耗功率小,版圖所占面積也小。整個電路用基于Hspice 做了仿真,驗證了電路各參數的準確性及電路的可實現性,并已成功流片并基于0. 18μm 工藝下的某系列音頻芯片中,為其提供時鐘。

          1 電路結構

          圖1 所示為振蕩電路結構框架,將晶振模型產生的正弦信號IN 和OUT 作為輸入,進入比較器比較后,產生穩定的32k 時鐘波形。

        圖1  晶振的整體電路

        圖1 晶振的整體電路

          2 具體電路

          按晶振部分和比較器部分分別給出具體電路的

          2. 1 晶振部分的電路分析

          圖2 所示是晶振部分所用的具體電路,其中,R1 , C1 ,L1 , Cp 是晶體的等效模型電路。R1 是晶體的等效串聯電阻,其值表示晶體的損失,L1 , C1 分別為晶體的等效串聯電感和電容,這兩個值決定晶體的振蕩頻率為32. 785kHz ( f = 1P2pi √LC) , Cp 是晶體輸入輸出引腳間的電容,其值為5 p , Cl1 , Cl2 是晶體的負載電容。圖2 中NMOS管M1 作為一個單級反相放大器通過晶振等效電路形成正反饋,從而和柵源( G , S) ,漏源( D , S) 之間的兩個負載電容一起形成Pierce 振蕩電路的結構。Ribias 和Rg 為NMOS管提供偏置電壓。該晶振部分電路在滿足巴克豪林準則的條件下可以振蕩。

        圖2  晶振部分的具體電路。

        圖2 晶振部分的具體電路。

          以下通過負阻的角度來分析電路的工作原理,圖3 所示為晶振部分等效串聯諧振電路,其中NMOS 管M1 和Cl1 , Cl2 的阻抗可以等效為:

          其具體等效方法為: 設流進OUT 點的電流為I ,Ribias 兩端的電壓為V ,NMOS 管上的漏電流為gmVIN ,則:

          聯立這兩個式子,消去VIN 即可得到:

          從而,起振電路的等效阻抗:

         如果要維持電路振蕩,必須保持Zc 的實部與R1 之和是零或者負值,這就對gm 的值提出了要求。

          gm 的最小值可以用以下方法估計:

          忽略Ribias和Cp ,設定Cl1 = Cl2 = C , Zc 即可簡化成:

          Zc 實部的絕對值要大于等于R1,所以有:

          根據上述條件設定晶振部分電路各器件參數,以滿足晶振起振條件后,晶振輸入輸出端XIN 和XOUT 分別會產生相位相反的正弦信號。

        圖3  晶振電路的等效電路

        圖3 晶振電路的等效電路

          2. 2 比較器部分的電路分析

          電路中的比較器電路結構如圖4 所示,晶振產生的兩個幅度相等相位相反的信號作為輸入進入比較器輸入。

        圖4  比較器電路。

        圖4 比較器電路。

          M1 - M4 構成偽電流源差分放大器,M5 和M6用來提高輸入管M3 和M4 的gm ,M7 和M8 是用輸出電壓作為其柵極電壓,從而控制M3 和M4 的連接與否。當V IN > VOUT時,M3 的漏電流大于M4 上的漏電流,而M1上的電流鏡像到M2上,于是M2上的電流大于M4 上的電流,多余的電流將流進反相器1 ,由于反相器的輸入電容,電流轉化成電壓,此時可以認為是數字高電平1 ,那么輸出也即為高電平,M7管導通,M5 增加了M3 的gm ,進一步增加反相器1的輸入電壓,從而使得輸出高電平更穩定;反之,當V IN VOUT時,M3 的漏電流小于M4 上的漏電流,同樣M1 上的電流鏡像到M2 上,于是M2 上的電流小于M4 上的電流,因此反相器1 的輸入電容放電補充這部分電流,此時可以認為反相器1 的輸入電壓是數字低電平0 ,那么輸出也即為低電平,M8 管導通,M6 增加了M4 的gm ,從而將反相器1 的輸入電壓下拉至更低電平,從而使得輸出低電平更穩定。

          由于比較器電路的輸入電阻趨于無窮大,所用工藝下輸入電容數量級為f F , 因此整個電路與晶振電路連接時不會對晶振電路造成影響。

        現分析其具體性能如下:

          最大輸出電壓為:

          最小輸出電壓為:

          比較器的傳輸時延為:

          其中Id (M4) 是M4 管的漏電流,由于電路采用的偽電流源的結構,所以M4 管的漏電流允許很大,所以使得比較器的傳輸時延可以很短。

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