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        一次性1TB NAS硬盤是怎么做成的?

        作者: 時(shí)間:2013-08-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        9,備用電池。

        10,尾部的鍵,其后是USB接口、以太網(wǎng)接口、重置鍵和輸入接口。

        11,共有三個(gè)塑料罩,每個(gè)塑料罩下面裝有兩只LED,燈光被導(dǎo)到硬盤正面。

        12,2008年推出的LSITruePHYET1011C2-C千兆以太網(wǎng)收發(fā)器。該產(chǎn)品基于0.13μm技術(shù)開(kāi)發(fā),完全遵從IEEE802.3、802.3u及802.3ab等標(biāo)準(zhǔn)。它的主要賣點(diǎn)是使用的過(guò)采樣結(jié)構(gòu)可以提高均衡度。

        13,由牛津半導(dǎo)體公司(OxfordSemiconductor)生產(chǎn)的OXE810DSE(自PLXTech收購(gòu)Oxford后改稱為PLX810)是一個(gè)雙SATA千兆以太網(wǎng)器。它是主接口IC,通過(guò)迷你PCI支持802.11標(biāo)準(zhǔn)。如今它已被NAS7821替代。2010年,BrianDipert也拆卸了一個(gè)更老式的WDNAS硬盤,并在相關(guān)文章中也對(duì)PLX芯片進(jìn)行了描述(文章鏈接地址:www.edn.com/4312333)。該P(yáng)LX芯片的DDR2內(nèi)存(HynixHY5PS1G1631C)也為1GB。

        14,三個(gè)盤片(盤片及磁頭相關(guān)技術(shù)在過(guò)去20年中取得了很大的發(fā)展。欲了解現(xiàn)代存儲(chǔ)技術(shù),包括巨磁電阻乃至自旋電子和量子比特的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址:http://bit.ly/Zg7yiW)。

        15,音圈和釹磁鐵殼(音圈位于上端和下端兩塊磁鐵之間,帶有連接至SMOOTHL7251的四線接口,以讀/寫磁頭位置并獲取數(shù)據(jù))。

        16,靜止的磁頭電樞(電樞由左側(cè)位于鍍鎳釹磁鐵之間的音圈電機(jī)驅(qū)動(dòng),鍍鎳釹磁鐵是當(dāng)今吸引力最強(qiáng)的永磁)。


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