一種夾層電阻結構及其應用

1 引言

在集成電路的線路設計中，特別是模擬電路的設計中，不可避免地都會需要用到電阻。對于低阻值的應用，一般可以用鋁線電阻、多晶電阻、N+電阻或者P+電阻等實現。對于更大一點的電阻，則可以用N阱電阻、P阱電阻或者高阻多晶等實現。對于更高阻值要求，或者阻值要求高但是占用面積要小且精度要求不高，這時候可以用倒比的MOS管或者夾層電阻來實現。顧名思義，夾層電阻就是被其他層次夾在中間的電阻，夾層電阻的方塊阻值一般在5~50 kΩ，隨著電壓的提高，還可以到100 kΩ或更高。

2 夾層電阻結構及原理特性分析

2.1 夾層電阻的結構

在集成電路工藝中，實現夾層電阻有很多種方法。本文研究的夾層電阻就是其中的一種，它不需要通過額外增加光刻MASK層就能實現。圖1為該夾層電阻的平面示意圖。

圖1中，夾層電阻區為低濃度的P型注入區，它主要利用工藝中的現有層次實現，比如Pbase層或者Pbody層。該P型夾層電阻區被N+和N阱完全包圍，因此該結構就是一個被N+和N阱兩個層次夾在中間的P型夾層電阻。

2.2 夾層電阻的特性

夾層電阻的優勢是阻值很高，缺點是對電壓比較敏感。對該夾層電阻進行I-V掃描，起始電壓為0 V,步進為0.5 V,結果發現如下特性：當電阻兩端電壓從0開始增加時，夾層電阻的阻值迅速上升，但是到電壓超過4 V左右后，電阻阻值雖然還是繼續增加，但是此時呈現出線性上升的特性，即電阻跟隨電壓呈比例地上升，當電壓到14~15 V左右時，電阻開始急劇減小，呈現出擊穿效應。把上述電阻測試時的I-V數值進行曲線擬合，得到圖2.

圖2中，拐點Vp約為4 V,拐點Vb約為14~15 V.

2.3 夾層電阻的原理分析

觀察該曲線，發現它很像MOS管的輸出特性曲線。進一步分析其縱向結構發現，該夾層電阻實際上可以理解成一個P溝道的JFET管(結型場效應管)，它的縱向剖面示意圖如圖3所示。

圖3中，JFET管的溝道區為低濃度的P型注入區，P型溝道被N+和N阱上下夾住，因此可以把N+和N阱看成JFET管的柵極(Gate)，把兩個SP注入區一個看成JFET管的源端(Source)，另一個看成JFET管的漏端(Drain)。

因此在圖2中，拐點Vp就是該P溝道JFET管的夾斷電壓，當-Vds電壓超過Vp后，JFET管產生夾斷，源漏電流開始趨于穩定。拐點Vb為該P溝道JFET管的擊穿電壓，當-Vds電壓大于Vb后，JFET管產生擊穿，Ids增大。

在前面的夾層電阻測試時，實際上是把PJFET管的柵端(Gate)和源端(Source)短接，形成了圖4所示的連接結構。

由圖4可知，只要把該JFET管的柵源短接且都接到輸入工作電壓Vin上，則當電壓在Vp和Vb之間變化時(即Vp

一般來說，Vp在3~4 V左右，而Vb可以在10~15 V左右甚至更高，當然，由于不同工藝間的差異，Vp和Vb的大小會有所不同。

上述單器件電流源能滿足輸入電壓在4~15 V左右之間變化時，輸出恒定電流。為了獲得更寬的電壓范圍，需要對上述電路進行改進，如圖5.

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