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        H橋為LED照明鋪新路

        作者: 時間:2013-09-04 來源:網絡 收藏

        H橋是一種以用戶定義方式驅動直流電機的經典電路,如正/反方向或通過四個分立/集成開關或機電繼電器的PWM輔助的RPM。它廣泛應用于機器與功率電子中。本設計實例是該技術的一種全新的實現方法,能以全波限流模式,從交流電源直接驅動白光陣列,從而實現一種無閃爍、高能效的固態照明燈。電路會在激勵電壓的正、負偏移期間,采用交替電開關工作方式,將激勵電壓的負半周和正半周內的激勵電流并維持在一個恒定的水平。這種方法可對交流電壓做電流的整流,使之成為串聯的直流供電電壓,有干凈幾乎無紋波的電流,大大改進了功率因數。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/174744.htm

        原理見圖1,晶體管Q1、Q3和Q5與二極管D4,還有晶體管Q2、Q4和Q6與二極管D3均配置為串聯的壓控電流開關,構成H橋的兩個臂;二極管D1和D2構成橋的另外兩個臂。LED串連接在橋的中點之間,兩個點分別叫VLED+和VLEDGND。交流電通過一個限流PTC電阻R5、串聯電容C4和C5(構成一只無極性電容CEFF),以及電感L1施加到電路上。同樣,主交流電的中性線通過電感L2連接到電路的大地。

        在正半周內,交流電源總線相對大地為正,晶體管Q1通過電阻R1獲得適當的基極偏置。電流流經二極管D4、晶體管Q1,以及電阻R3,如箭頭A1所示,然后流過由12只中功率LED(LED1~LED12)構成的LED串,通過二極管D2進入大地,如箭頭A2所示。同樣,在負半周時,交流電源總線相對大地為負,晶體管Q2通過電阻R2獲得基極偏置。電流流經二極管D3、晶體管Q2,以及電阻R4,如箭頭A3所示,然后流過LED串,通過二極管D1進入交流電源總線,如箭頭A4所示。這樣,在一個完整周期內,電流以相同方向流過LED串,獲得了一個全波整流橋的效果。不過,電流ILED的幅度保持恒定,因為受到了作為壓控電流源的相應開關的調節。

        由于晶體管Q3和Q4的基射結分別連接在電流檢測電阻R3和R4上,當R3和R4上的壓降上升到Q3和Q4的基射電壓以上時,兩個晶體管導通。在這個點,Q1和Q2的基極均被拉低,擾亂了在相應交流電源半周內通過它們的電流。流過晶體管的電流以這種方式保持恒定,永遠不會超過某個閾值,這個閾值通過選擇R3和R4的值進行設置。Q5和Q6將Q1和Q2的基極電流限制在一個安全值(大約為150μA),確保它們永遠不會過驅。當Q1和Q2各自基射電壓超過了分別與R1和R2串聯的R6和R8上的壓降時,Q1和Q2基極電流的相當大部分通過Q5和Q6,被分流給R3和R4。

        進入總線的交流電流幅度受到主頻率下CEFF電抗(1/2πfCEFF)的限制,可以通過選擇C4和C5而改變,兩只電容構成一個無極性電容。電路也可以由一個阻性電源驅動,方法是用一個50Ω~200Ω的合適大功率電阻代替CEFF。這樣有助于獲得出色的功率因數,但付出的代價是限流電阻有非常大的功耗。可以根據所需要恒流水平,適當選擇R3和R4。D5為LED串提供高反壓保護,而R5限制了上電時的浪涌電流。電感L1和L2與電容C1幫助盡量減少EMI/RFI,同時提高功率因數。可以與交流電源并排插一個金屬氧化物壓敏變阻器,以保護電路不發生瞬變。

        電路中的12只0.5W的LED在120mAdc(135mARMS)下工作,而相應的電流檢測電阻R3和R4選為1Ω。不過,LED的數量可以增加到18只,只要LED串上施加的電壓超過單只LED正向電壓之和(白光LED的正向電壓在3.3V~4V范圍內變化)。LED上的電壓是自限的(本例中,大約是42V),不需要任何額外的調節,因為當工作在正偏模式時,串聯LED的行為就像大功率齊納二極管。電路在230V交流電源下消耗功率為11.5W,功率因數為0.93,LED上沒有任何閃爍現象。可以選擇在VLED+和VLEDGND之間連接一只220μF的電容C2,進一步抑制紋波,見圖2。另外,可以用六個并聯LED串取代現有燈串,每一串上有12只~18只標稱20mA的高亮度LED。晶體管Q1和Q2必須裝有散熱片,以避免熱失控。



        關鍵詞: 控制 LED

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