晶體管開關(guān)電路的加速電容器

飽和開關(guān)的問題點(diǎn)：OFF延時(shí)時(shí)間

如圖1所示，使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動(dòng)作時(shí)，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓VCE(set)減小，使晶體管的ON時(shí)的電力損耗降低的緣故。

這樣，晶體管飽和動(dòng)作時(shí)，如圖2所示，基極電流IB，即使為0，晶體管也不能立刻OFF，集電極電流在積蓄(strage)時(shí)間tstg+上升時(shí)間tr，之后才變?yōu)?(toff=tstg=tr)。

圖1 基本的晶體管開關(guān)電路

圖2 為使開關(guān)高速，減小toff很重要

用于OFF晶體管的時(shí)間莎。toff比用于ON的時(shí)間ton要長，而且根據(jù)驅(qū)動(dòng)基極的條件變化很大，這在高速開關(guān)電路中必需注意。