單片開關電源瞬態干擾抑制技術
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為確保單片開關電源正常工作，必須在電路設計和制造工藝上采取相應措施，有效地抑制瞬態干擾及音頻噪聲，為此闡述其抑制方法與改進電路。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/171700.htm１ 抑制瞬態干擾
瞬態干擾會造成單片開關電源輸出電壓的波動；當瞬態電壓疊加在整流濾波后的直流輸入電壓ＶＩ上，使ＶＩ超過內部功率開關管的漏－源擊穿電壓Ｖ（ＢＲ）ＤＳ時，還會損壞ＴＯＰＳｗｉｔｃｈ芯片，因此必須采用抑制措施。
闡述抑制瞬態干擾的方法。其改進電路如圖２所示，主要做了以下改進：①將交流兩線輸入方式改成三線輸入方式，Ｇ端接通大地；②采用兩級電磁干擾（ＥＭＩ）濾波器，為避免兩個ＥＭＩ濾波器在產生諧振時的干擾信號互相疊加，應使Ｌ２（Ｌ３）≤１０ｍＨ，Ｌ３≥２Ｌ２；③增加Ｃ９和Ｌ４，并將Ｃ８換成０．１μF普通電容器。C7～C9為安全電容，分別與高頻變壓器的引出端相連。其中，C7接初級直流高壓的返回端，C8接次級返回端，C9接初級直流高壓端。它們的共端則經過濾波電感L4接通大。L4用鐵氧體磁環繞制而成。設計負印制板時，連接C7～C9的各條印制導線應短而寬。 采用上述連接方式可保證瞬態電流被C7～C9旁路掉，而不進入TOP202Y中。此外，反饋繞組接地端和C4的引出端，各經一條單獨導線接TOP202Y的對應管腳。旁路電容C5直接跨在控制端與源極上，以減小控制端上的噪聲電壓。④增加電阻R6，其阻值范圍在270～620Ω，它與光耦合器發射極相串聯。當控制環路失控時，R6能限制峰值電流，使之小于芯片中關斷觸發器的關斷電流。
２ 抑制音頻噪聲
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