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        基于TOP243Y的單片反激開關電源設計

        作者: 時間:2012-12-23 來源:網絡 收藏

        3.5 次級繞組匝數(shù)NS的計算
        本文選用N作為的主芯片,對TOPSwitch器件來說:
        NS=0.6(VO+VD) (7)
        式(7)中VO為輸出電壓,VD為輸出二極管正向壓降。本設計5 V輸出二極管采用超快恢復肖特基二極管,因此:NS≈3.4取整數(shù),次級繞組NS為4匝。
        3.6 初級繞組匝數(shù)NP的計算

        ±12 V次級繞組的電壓:VS1=VO+VD+VL=12.9 V。故可得:n≈0.117 2,則兩個次級匝數(shù)計算為:NS1(2)≈9.05,取整數(shù)后,+12V次級繞組均取為9匝。
        3.9 確定初級導線的內徑
        根據(jù)初級層數(shù)d、骨架寬度b和安全邊距M,利用式(11)計算有效骨架寬度bE:
        bE=d(b-2M) (11)
        本設計中取d=3,b=9.6mm,M=0代入式(11):bE=28.8mm。
        利用式(12)計算導線的外徑:

        得到:DPM≈0.36mm,由AWG的導線規(guī)格表查得,與直徑0.36mm最接近線號是28AWG。
        3.10 確定次級導線的內徑
        次級裸導線直徑可用式(13)表示:
        f.JPG
        其中,根據(jù)文獻可得電流密度為式(14):
        g.JPG
        代入電流密度和次級有效值電流的值,可得到次級導線線徑為:DSM≈0.98 mm。
        當DSM>0.4mm時,建議應采用多股導線并繞NS匝,由AWG的導線規(guī)格表可得選用25AWG。與單股粗導線繞制方法相比,多股并繞能增大次級繞組的等效截面積,改善磁場耦合程度,減小漏感。
        3.11 變壓器氣隙的計算
        對于單端度激式變壓器的磁芯,為了避免磁芯飽和,減小變壓器的高頻磁芯損耗及發(fā)熱問題,應該在磁回路中加入一個適當?shù)臍庀?sigma;。
        h.JPG

        4 無源RCD的參數(shù)設計
        在MOSFET管漏極增加鉗位保護電路,對尖峰電壓進行鉗位或者吸收,防止開關管損壞,如圖1所示。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/170642.htm

        a.JPG



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